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1. (WO2007001647) PROCEDE DE MASQUES MULTIPLES A EMPILEMENT DE MASQUES DE GRAVURE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/001647    N° de la demande internationale :    PCT/US2006/018144
Date de publication : 04.01.2007 Date de dépôt international : 10.05.2006
CIB :
H01L 21/461 (2006.01)
Déposants : LAM RESEARCH CORPORATION [US/US]; 4650 Cushing Parkway, Fremont, California 94438-6470 (US) (Tous Sauf US).
SADJADI, S.M., Reza [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : SADJADI, S.M., Reza; (US)
Mandataire : LEE, Michael, B.K.; BEYER WEAVER & THOMAS, LLP, P.O. Box 70250, Oakland, California 94612-0250 (US)
Données relatives à la priorité :
11/170,273 28.06.2005 US
Titre (EN) MULTIPLE MASK PROCESS WITH ETCH MASK STACK
(FR) PROCEDE DE MASQUES MULTIPLES A EMPILEMENT DE MASQUES DE GRAVURE
Abrégé : front page image
(EN)A method for forming etch features in an etch layer over a substrate is provided. An etch mask stack is formed over the etch layer. A first mask is formed over the etch mask stack. A sidewall layer is formed over the first mask, which reduces the widths of the spaces defined by the first mask. A first set of features is etched into the etch mask stack through the sidewall layer. The mask and sidewall layer are removed. An additional feature step is performed, comprising forming an additional mask over the etch mask stack, forming a sidewall layer over the additional mask, etching a second set of features at least partially into the etch mask stack. A plurality of features is etched into the etch layer through the first set of features and the second set of features in the etch mask stack.
(FR)La présente invention a trait à un procédé pour la formation d'éléments de gravure dans une couche de gravure sur un substrat. Une empilement de masques est formé sur la couche de gravure. Un premier masque est formé sur l'empilement de masques de gravure. Une couche de paroi latérale est formée sur le premier masque, qui réduit les largeurs des intervalles définis par le premier masque. Un premier ensemble d'éléments est gravé dans l'empilement de masques à travers la couche de paroi latérale. Le masque et la couche de paroi latérale sont éliminés. Une étape d'élément additionnelle est réalisée, comprenant la formation d'un masque additionnel sur l'empilement de masques de gravure, la formation d'une couche de paroi latérale sur le masque additionnel, la gravure d'un deuxième ensemble d'éléments au moins en partie dans l'empilement de masques de gravure. Une pluralité d'éléments est gravée dans chaque couche de gravure à travers le premier ensemble d'éléments et le deuxième ensemble d'éléments dans l'empilement de masques de gravure.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)