WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2007001296) PROCEDE DE DEPOT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR DANS DES ESPACES A GRAND ALLONGEMENT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/001296    N° de la demande internationale :    PCT/US2005/022672
Date de publication : 04.01.2007 Date de dépôt international : 28.06.2005
CIB :
H01L 21/36 (2006.01), H01L 21/20 (2006.01)
Déposants : THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF CALIFORNIA [US/US]; 5th Floor, 1111 Franklin Street, Oakland, California 94607 (US) (Tous Sauf US).
XIE, Ya-Hong [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : XIE, Ya-Hong; (US)
Mandataire : DAVIDSON, Michael; Cohen Sakaguchi & English LLP, 2040 Main Street, 9th Floor, Irvine, California 92614 (US)
Données relatives à la priorité :
11/169,244 27.06.2005 US
Titre (EN) METHOD FOR CHEMICAL VAPOR DEPOSITION IN HIGH ASPECT RATIO SPACES
(FR) PROCEDE DE DEPOT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR DANS DES ESPACES A GRAND ALLONGEMENT
Abrégé : front page image
(EN)A method of depositing conformal film into high aspect ratio spaces includes the step of forming a gradient of precursor gas inside the space (s) prior to deposition. The gradient may be formed, for example, by reducing the pressure within the deposition chamber or by partial evacuation of the deposition chamber. The temperature of the substrate is then briefly increased to preferentially deposit precursor material within the closed or 'deep' portion of the high aspect ratio space. The process may be repeated for a number of cycles to completely fill the space (s). The process permits the filling of high aspect ratio spaces without any voids or keyholes that may adversely impact the performance of the resulting device.
(FR)L'invention concerne un procédé de dépôt d'une couche conforme dans des espaces à grand allongement, qui consiste à: former un gradient de gaz précurseur dans le ou les espaces avant la réalisation du dépôt. Le gradient peut être formé, par exemple, par réduction de la pression à l'intérieur de la chambre de dépôt ou par évacuation partielle de la chambre de dépôt. La température du substrat est ensuite brièvement augmentée pour déposer de préférence le matériau précurseur à l'intérieur de la partie fermée ou 'profonde' de l'espace à grand allongement. Le procédé peut être répété pendant plusieurs cycles afin de remplir complètement l'espace. Le procédé permet de remplir des espaces à grand allongement sans laisser un quelconque vide ou trou de serrure pouvant avoir une incidence négative sur la performance du dispositif ainsi réalisé.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)