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1. (WO2007001295) DISPOSITIF OPTOELECTRONIQUE A POINTS QUANTIQUES ET PROCEDE PERMETTANT DE PRODUIRE CE DISPOSITIF
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2007/001295 N° de la demande internationale : PCT/US2005/022661
Date de publication : 04.01.2007 Date de dépôt international : 28.06.2005
CIB :
H01L 21/18 (2006.01) ,H01S 5/125 (2006.01) ,H01S 5/343 (2006.01) ,H01L 29/20 (2006.01)
Déposants : XIE, Ya-Hong[US/US]; US (UsOnly)
THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF CALIFORNIA[US/US]; 5th Floor 1111 Franklin Street Oakland, CA 94607, US (AllExceptUS)
Inventeurs : XIE, Ya-Hong; US
Mandataire : DAVIDSON, Michael; Cohen Sakaguchi & English LLP 2040 Main Street, 9th Floor Irvine, CA 92614, US
Données relatives à la priorité :
11/169,19627.06.2005US
Titre (EN) QUANTUM DOT BASED OPTOELECTRONIC DEVICE AND METHOD OF MAKING SAME
(FR) DISPOSITIF OPTOELECTRONIQUE A POINTS QUANTIQUES ET PROCEDE PERMETTANT DE PRODUIRE CE DISPOSITIF
Abrégé : front page image
(EN) A method of forming an optically active region on a silicon substrate includes the steps of epitaxially growing a silicon buffer layer on the silicon substrate and epitaxially growing a SiGe cladding layer having a plurality of arrays of quantum dots disposed therein, the quantum dots being formed from a compound semiconductor material having a lattice mismatch with the silicon buffer layer. The optically active region may be incorporated into devices such as light emitting diodes, laser diodes, and photodetectors.
(FR) L'invention concerne un procédé permettant de former une zone optiquement active sur un substrat de silicium, les étapes de ce procédé consistant à former par croissance épitaxiale une couche tampon de silicium sur le substrat de silicium, puis à former par croissance épitaxiale une couche de métallisation SiGe dans laquelle sont disposés une pluralité de réseaux de points quantiques, ces points quantiques étant formés d'un matériau semi-conducteur composite présentant un désaccord de réseau cristallin avec la couche tampon de silicium. Cette zone optiquement active peut être incorporée dans des dispositifs tels que des diodes électroluminescentes, des diodes laser, et des photodétecteurs.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)