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1. (WO2007001281) DISPOSITIF ET PROCÉDÉ DE TRAITMENT DES MATÉRIAUX DIÉLECTRIQUES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/001281    N° de la demande internationale :    PCT/US2005/022110
Date de publication : 04.01.2007 Date de dépôt international : 22.06.2005
CIB :
H01L 21/00 (2006.01)
Déposants : AXCELIS TECHNOLOGIES, INC. [US/US]; 108 Cherry Hill Drive, Beverly, Massachusetts 01915 (US) (Tous Sauf US).
WALDFRIED, Carlo [DE/US]; (US) (US Seulement).
GARMER, Christopher [US/US]; (US) (US Seulement).
ESCORCIA, Orlando [US/US]; (US) (US Seulement).
BERRY, Ivan [US/US]; (US) (US Seulement).
SAKTHIVEL, Palanikumaran [IN/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : WALDFRIED, Carlo; (US).
GARMER, Christopher; (US).
ESCORCIA, Orlando; (US).
BERRY, Ivan; (US).
SAKTHIVEL, Palanikumaran; (US)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) APPARATUS AND PROCESS FOR TREATING DIELECTRIC MATERIALS
(FR) DISPOSITIF ET PROCÉDÉ DE TRAITMENT DES MATÉRIAUX DIÉLECTRIQUES
Abrégé : front page image
(EN)Apparatuses and processes for treating dielectric materials such as low k dielectric materials, premetal dielectric materials, barrier layers, and the like, generally comprise a radiation source module, a process chamber module coupled to the radiation source module; and a loadlock chamber module in operative communication with the process chamber and a wafer handler. The atmosphere of each one of the modules can be controlled as may be desired for different types of dielectric materials. The radiation source module includes a reflector, an ultraviolet radiation source, and a plate transmissive to the wavelengths of about 150 nm to about 300 nm, to define a sealed interior region, wherein the sealed interior region is in fluid communication with a fluid source.
(FR)L’invention concerne des dispositifs et procédés de traitement de matériaux diélectriques comme les matériaux diélectriques à faible k, les matériaux diélectriques prémétalliques, les couches écrans, et assimilés, comprenant généralement un module de source de radiations, un module de chambre de traitement couplé au module de source de radiations ; et un module de sas de chambre en communication fonctionnelle avec la chambre de traitement et un support de galettes. L’atmosphère de chacun des modules peut être contrôlée comme on le désire pour différents types de matériaux diélectriques. Le module de source de radiations comprend un réflecteur, une source de radiation ultraviolette, et une plaque transmettrice vers les longueurs d’ondes comprises entre 150 nm et 300 nm environ, pour définir une zone intérieure étanche, la zone intérieure étanche étant en communication fluide avec une source de fluide.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)