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1. (WO2007001274) MISE EN MOTIF ET ALIGNEMENT DE NANOPARTICULES SEMI-CONDUCTRICES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/001274    N° de la demande internationale :    PCT/US2005/021893
Date de publication : 04.01.2007 Date de dépôt international : 20.06.2005
CIB :
H01L 21/368 (2006.01), H01L 21/208 (2006.01)
Déposants : 3M INNOVATIVE PROPERTIES COMPANY [US/US]; 3M Center, Post Office Box 33427, Saint Paul, MN 55133-3427 (US) (Tous Sauf US)
Inventeurs : KELLEY, Tommie W.,; (US).
DUNBAR, Timothy, D.; (US)
Mandataire : DAHL, Philip Y.,; 3M Center, Office of Intellectual Property Counsel, Post Office Box 33427, Saint Paul, MN 55133-3427 (US)
Données relatives à la priorité :
60/581,414 21.06.2004 US
Titre (EN) PATTERNING AND ALIGNING SEMICONDUCTING NANOPARTICLES
(FR) MISE EN MOTIF ET ALIGNEMENT DE NANOPARTICULES SEMI-CONDUCTRICES
Abrégé : front page image
(EN)A method is provided for making a device comprising aligned semiconducting nanoparti&sgr;les and a receptor substrate comprising the steps of : a) aligning a plurality of first semiconducting nanoparticles; b) depositing the aligned first semiconducting nanoparticles on a first donor sheet;, and c) transferring at least a portion of the aligned first semiconducting nanoparti&sgr;les to a receptor substrate by the application of laser radiation. Typically, the semiconducting nanoparti&sgr;les are inorganic semiconducting nanoparticles. The alignment step may be accomplished by any suitable method, typically including: 1) alignment by capillary flow in or on a textured or microchanneled surface; 2) alignment by templating on a self -assembled monolayer (SAM) ; 3) alignment by templating on a textured polymer surface,- or 4) alignment by mixing in a composition that includes nematic liquid crystals followed by shear orientation of the nematic liquid crystals.
(FR)L’invention concerne un procédé de fabrication d‘un dispositif comprenant des nanoparticules semi-conductrices alignées et un substrat récepteur comprenant les phases suivantes : a) alignement d’une pluralité de premières nanoparticules semi-conductrices ; b) déposition des premières nanoparticules semi-conductrices alignées sur une première feuille donneuse ; et c) transfert d’au moins une portion des premières nanoparticules semi-conductrices alignées sur un substrat récepteur par l’application de radiation laser. Typiquement, les nanoparticules semi-conductrices sont des nanoparticules semi-conductrices inorganiques. La phase d’alignement peut faire appel à tout procédé adéquat, englobant typiquement : 1) un alignement par écoulement capillaire dans ou sur une surface texturée ou bien à microcanaux ; 2) un alignement par calandrage sur une monocouche auto-assemblée (SAM) ; 3) un alignement par calandrage sur une surface polymère texturée ; ou 4) un alignement par mélange dans une composition englobant des cristaux liquides nématiques suivi d’une orientation par cisaillement des cristaux liquides nématiques. Dans certains modes de réalisation, le procédé comprend également les phases suivantes : d) alignement d’une seconde pluralité de secondes nanoparticules ; e) déposition des secondes nanoparticules alignées sur la même feuille donneuse ou une seconde feuille donneuse ; et f) transfert d’au moins une portion des secondes nanoparticules alignées sur le même substrat récepteur par l’application de radiation laser. Les secondes nanoparticules peuvent être des particules conductrices, des particules non conductrices, ou des nanoparticules semi-conductrices, y compris des nanoparticules semi-conductrices inorganiques, et elles peuvent être identiques ou différentes en termes de composition par rapport aux premières nanoparticules semi-conductrices. De plus, l’invention porte sur des dispositifs réalisés selon les procédés de la présente invention.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)