WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2007001155) STRUCTURE DE PANNEAU CONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/001155    N° de la demande internationale :    PCT/KR2006/002499
Date de publication : 04.01.2007 Date de dépôt international : 27.06.2006
CIB :
G02F 1/1333 (2006.01)
Déposants : ITM INC. [KR/KR]; 3F. JJ Building 1433-22, Gwanyang-dong Dongan-gu, Anyang-si, Gyeonggi-do 431-060 (KR) (Tous Sauf US).
SEO, Yong Woon [KR/KR]; (KR) (US Seulement).
JEONG, Heui Seob [KR/KR]; (KR) (US Seulement)
Inventeurs : SEO, Yong Woon; (KR).
JEONG, Heui Seob; (KR)
Mandataire : WOO YUN IP & LAW FIRM; 3F, Maru Bldg., 942-20, Daichi-dong, Kangnam-ku, Seoul 135-845 (KR)
Données relatives à la priorité :
10-2005-0055815 27.06.2005 KR
Titre (EN) CONDUCTIVE PANEL STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
(FR) STRUCTURE DE PANNEAU CONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed is a method of changing the sheet resistance of a conductive substrate used in a touch panel to increase durability of the substrate used and change the resistance of the substrate at a predetermined portion so as to improve the properties of the substrate. According to this invention, the method of changing the sheet resistance of the conductive substrate includes forming an etch mask having a triangular, rectangular, pentagonal, hexagonal, circular or specific linear shape on a substrate having a conductive thin-film layer, and then physically or chemically etching the substrate in the predetermined shape to increase the sheet resistance thereof. The method of this invention includes changing the resistance of a substrate through control of the aperture rate of the conductive thin-film layer of the substrate by uniformly etching the entire substrate or selectively etching a predetermined portion of the substrate to thus increase the aperture rate of the predetermined portion.
(FR)La présente invention concerne un procédé pour changer la résistance de couche d’un substrat conducteur utilisé dans un écran tactile pour augmenter la durabilité du substrat utilisé et changer la résistance du substrat dans une partie prédéterminée de manière à améliorer les propriétés du celui-ci. Selon cette invention, le procédé pour changer la résistance de couche du substrat conducteur inclut la formation d’un masque de gravure de forme triangulaire, rectangulaire, pentagonale, hexagonale, circulaire ou linéaire spécifique sur un substrat ayant une couche de film mince conductrice, puis la gravure physique ou chimique du substrat dans la forme prédéterminée afin d'augmenter la résistance de couche de celui-ci. Le procédé de cette invention inclut le changement de la résistance d’un substrat par la commande de la vitesse d’ouverture de la couche de film mince conductrice du substrat en gravant de manière uniforme le substrat tout entier ou en gravant de manière sélective une partie prédéterminée du substrat pour augmenter ainsi la vitesse d'ouverture de la partie prédéterminée.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : coréen (KO)