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1. (WO2007001124) DIODE ÉLECTROLUMINESCENTE COMPRENANT UN SUBSTRAT À CONDUCTIVITÉ THERMIQUE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/001124    N° de la demande internationale :    PCT/KR2006/002146
Date de publication : 04.01.2007 Date de dépôt international : 05.06.2006
CIB :
H01L 33/06 (2010.01), H01L 33/08 (2010.01), H01L 33/12 (2010.01), H01L 33/14 (2010.01), H01L 33/32 (2010.01), H01L 33/40 (2010.01), H01L 33/62 (2010.01)
Déposants : SEOUL OPTO DEVICE CO., LTD. [KR/KR]; 1-36 Block, 727-5 Wonsi-dong, Danwon-gu, Ansan-si, Gyeonggi-do 425-851 (KR) (Tous Sauf US).
LEE, Jae Ho [KR/KR]; (KR) (US Seulement)
Inventeurs : LEE, Jae Ho; (KR)
Mandataire : LEE, Soo Wan; 1901-ho, Keungil Tower 19F, 677-25 Yeoksam-dong, Gangnam-gu, Seoul 135-914 (KR)
Données relatives à la priorité :
10-2005-0057327 29.06.2005 KR
Titre (EN) LIGHT EMITTING DIODE HAVING A THERMAL CONDUCTIVE SUBSTRATE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME
(FR) DIODE ÉLECTROLUMINESCENTE COMPRENANT UN SUBSTRAT À CONDUCTIVITÉ THERMIQUE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed are a light emitting diode having a thermal conductive substrate and a method of fabricating the same. The light emitting diode includes a thermal conductive insulating substrate. A plurality of metal patterns are spaced apart from one another on the insulating substrate, and light emitting cells are located in regions on the respective metal patterns. Each of the light emitting cells includes a P-type semiconductor layer, an active layer and an N-type semiconductor layer. Meanwhile, metal wires electrically connect upper surfaces of the light emitting cells to adjacent metal patterns. Accordingly, since the light emitting cells are operated on the thermal conductive substrate, a heat dissipation property of the light emitting diode can be improved.
(FR)La présente invention concerne une diode électroluminescente comprenant un substrat à conductivité thermique et un procédé pour le fabriquer. Ladite diode comprend un substrat isolant à conductivité thermique. Plusieurs motifs métalliques sont espacés les uns des autres sur le substrat isolant et les cellules électroluminescentes sont situées dans des régions sur les motifs métalliques respectifs. Chacune des cellules électroluminescentes comprend une couche semi-conductrice de type P, une couche active et une couche semi-conductrice de type N. En même temps, des fils métalliques raccordent électriquement les surfaces supérieures des cellules électroluminescentes à des motifs métalliques adjacents. En conséquence, étant donné que les cellules électroluminescentes fonctionnent sur le substrat à conductivité thermique, une propriété de dissipation de la chaleur de la diode électroluminescente peut être améliorée.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : coréen (KO)