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1. (WO2007001098) NANOSTRUCTURE COMPRENANT UN PUITS QUANTIQUE À BASE DE NITRURE ET DIODE ÉLECTROLUMINESCENTE L'UTILISANT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/001098    N° de la demande internationale :    PCT/KR2005/001996
Date de publication : 04.01.2007 Date de dépôt international : 25.06.2005
CIB :
H01L 33/06 (2010.01), H01L 33/12 (2010.01), H01L 33/32 (2010.01), H01L 33/50 (2010.01)
Déposants : SEOUL OPTO DEVICE CO., LTD. [KR/KR]; 1-36 Block, 727-5, Wonsi-dong, Danwon-gu, Ansan-si, Gyeonggi-do 425-851 (KR) (Tous Sauf US).
KIM, Hwa Mok [KR/KR]; (KR) (US Seulement)
Inventeurs : KIM, Hwa Mok; (KR)
Mandataire : LEE, Soo Wan; 1901-ho, Keungil Tower 19F, 677-25 Yeoksam-dong, Gangnam-gu, Seoul 135-914 (KR)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) NANOSTRUCTURE HAVING A NITRIDE-BASED QUANTUM WELL AND LIGHT EMITTING DIODE EMPLOYING THE SAME
(FR) NANOSTRUCTURE COMPRENANT UN PUITS QUANTIQUE À BASE DE NITRURE ET DIODE ÉLECTROLUMINESCENTE L'UTILISANT
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed are a nanostructure with an indium gallium nitride quantum well and a light emitting diode employing the same. The light emitting diode comprises a substrate, a transparent electrode and an array of nanostructures interposed between the substrate and the transparent electrode. Each of the nanostructures comprises a core nanorod, and a nano shell surrounding the core nanorod. The core nanorod is formed substantially perpendicularly to the substrate and includes a first nanorod of a first conductivity type, an (Alx Iny Ga1-x-y )N (where, 0<x<l, O≤y≤l and O≤x+y≤l) quantum well, and a second nanorod of a second conductivity type, which are joined in a longitudinal direction. The nano shell is formed of a material with a bandgap greater than that of the quantum well, and surrounds at least the quantum well of the core nanorod. Meanwhile, the second nanorods are connected in common to the transparent electrode. Ac¬ cordingly, with the nano shells, it is possible to provide a light emitting diode capable of improving external quantum efficiency by preventing non-radiative recombination on a surface of the (Alx Iny Ga1-x-y)N quantum well.
(FR)La présente invention concerne une nanostructure comprenant un puits quantique en nitrure d'indium et de gallium ainsi qu'une diode électroluminescente l'utilisant. Ladite diode comprend un substrat, une électrode transparente et un réseau de nanostructures intercalées entre le substrat et l'électrode transparente. Chacune des nanostructures comprend une nanotige noyau et une nanoenveloppe entourant la nanotige noyau. La nanotige noyau est formée de manière sensiblement perpendiculaire au substrat et comprend une première nanotige d'un premier type de conductivité, un puits quantique en (Alx Iny Ga1-x-y )N (où 0 < x < l, O ≤ y ≤ l et O ≤ x + y ≤ l) et une seconde nanotige d'un second type de conductivité, qui sont jointes dans un sens longitudinal. La nanoenveloppe est formée d'un matériau avec une largeur de bande interdite supérieure à celle du puits quantique, et entoure au moins le puits quantique de la nanotige noyau. En même temps, les secondes nanotiges sont raccordées en commun à l'électrode transparente. En conséquence, avec les nanoenveloppes, il est possible de fournir une diode électroluminescente pouvant améliorer l'efficacité quantique externe en empêchant une recombinaison non radiative sur une surface du puits quantique en (Alx Iny Ga1-x-y)N.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : coréen (KO)