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1. (WO2007000697) ENSEMBLE ET PROCEDE DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/000697    N° de la demande internationale :    PCT/IB2006/052040
Date de publication : 04.01.2007 Date de dépôt international : 23.06.2006
CIB :
H01L 21/48 (2006.01), H01L 25/065 (2006.01), H01L 21/98 (2006.01), H01L 21/68 (2006.01)
Déposants : KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V. [NL/NL]; Groenewoudseweg 1, NL-5621 BA Eindhoven (NL) (Tous Sauf US).
DEKKER, Ronald [NL/NL]; (NL) (US Seulement).
DE SAMBER, Marc, A. [BE/BE]; (NL) (US Seulement).
DE HAAS, Wilhelmus, H. [NL/NL]; (NL) (US Seulement).
MICHIELSEN, Theodorus, M. [NL/NL]; (NL) (US Seulement).
SCHOOFS, Franciscus, A., C., M. [NL/NL]; (NL) (US Seulement).
VAN VEEN, Nicolaas, . J., A. [NL/NL]; (NL) (US Seulement)
Inventeurs : DEKKER, Ronald; (NL).
DE SAMBER, Marc, A.; (NL).
DE HAAS, Wilhelmus, H.; (NL).
MICHIELSEN, Theodorus, M.; (NL).
SCHOOFS, Franciscus, A., C., M.; (NL).
VAN VEEN, Nicolaas, . J., A.; (NL)
Mandataire : NOLLEN, Maarten, D-J.; Prof. Holstlaan 6, NL-5656 AA Eindhoven (NL)
Données relatives à la priorité :
05105838.6 29.06.2005 EP
Titre (EN) METHOD OF MANUFACTURING AN ASSEMBLY AND ASSEMBLY
(FR) ENSEMBLE ET PROCEDE DE FABRICATION
Abrégé : front page image
(EN)The assembly (100) comprises a laterally limited semiconductor substrate region (15) in which an electrical element (20) is defined. Thereon, an interconnect structure (21) is present. This is provided, at its first side (101) with contact pads (25,26) for coupling to an electric device (30), and at its second side (102) with connections (20) to the electrical element (11). Terminals (52,53) are present at the second side (102) of the interconnect structure (21), and coupled to the interconnect structure (21) through extensions (22,23) that are laterally displaced and isolated from the semiconductor substrate region (15). An electric device (30) is assembled to the first side (101) of the interconnect structure (21), and an encapsulation (40) extending on the first side (101) of the interconnect structure (21) so as to support it and encapsulating the electric device (30) is present.
(FR)Cet ensemble (100) comprend une région (15) de substrat semi-conducteur latéralement limité dans laquelle est défini un élément électrique (20) garni d'une structure d'interconnexion (21). Son premier côté (101) est pourvu de pavés de contacts (25, 26) pour le couplage à un dispositif électrique, l'autre côté (102) étant pourvu de connexions'20) avec l'élément électrique (11). Ce deuxième côté (102) de la structure d'interconnexion (21) est pourvu de bornes (52, 53) couplées à la structure d'interconnexion (21) par des prolongements (22, 23) latéralement décalés et isolés de la région (15) de substrat semi-conducteur. Un dispositif électrique (30) est assemblé sur la premier côté (101) de la structure d'interconnexion (21). Une inclusion (40) occupant le premier côté (101) de la structure d'interconnexion (21) lui sert de support et englobe le dispositif électrique (30).
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)