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1. (WO2007000572) CIRCUIT EN PONT COMPLET
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/000572    N° de la demande internationale :    PCT/GB2006/002249
Date de publication : 04.01.2007 Date de dépôt international : 20.06.2006
CIB :
H02M 7/521 (2006.01)
Déposants : TYCO ELECTRONICS UK LTD. [GB/GB]; Faraday Road, Dorcan, Swindon, Wiltshire SN3 5HH (GB) (Tous Sauf US).
DUDLEY, Neil [GB/GB]; (GB) (US Seulement)
Inventeurs : DUDLEY, Neil; (GB)
Mandataire : POWELL, Timothy; Eric Potter Clarkson LLP, Park View House, 58 The Ropewalk, Nottingham NG1 5DD (GB)
Données relatives à la priorité :
0513204.8 29.06.2005 GB
Titre (EN) A FULL BRIDGE CIRCUIT
(FR) CIRCUIT EN PONT COMPLET
Abrégé : front page image
(EN)A full bridge circuit (10) comprises first (TR2, TR3) and second (TRl, TR4) pairs of parallel connected one-way, switching devices, each respective said switching device (TR1, TR4) of the second pair being connected in series with a respective said switching device (TR2, TR3) of the first said pair to define two switchable parallel conducting paths. A load (11) is connected so as to bridge the parallel conducting paths between the said switching devices (TR2, TR3) of the first pair and the said switching devices (TRl, TR4) of the second pair, and the circuit is connectable so as to apply an alternating current to flow in the parallel conducting paths. The circuit is characterised in that the switching devices (TR2, TR3) of the first pair are field effect transistor (FET) devices; and the switching devices of the second pair (TRl, TR4) are insulated gate bipolar transistor (IGBT) devices.
(FR)L'invention concerne un circuit en pont complet (10) qui comprend une première (TRI, TRI) et une seconde paire (TRI, TRI) de dispositifs de commutation unidirectionnels reliés en parallèle, chacun desdits dispositifs de commutation respectif (TRI, TRI) de la seconde paire étant relié en série avec l'un desdits dispositifs de commutation respectif (TRI, TRI) de ladite première paire, afin de définir deux tracés conducteurs parallèles pouvant être commutés. Une charge (11) est reliée de façon à ponter les tracés conducteurs parallèles entre lesdits dispositifs de commutation (TRI, TRI) de la première paire et lesdits dispositifs de commutation (TRI, TRI) de la second paire, et l'on peut connecter le circuit de façon à appliquer un courant alternatif pour qu'il circule dans les tracés conducteurs parallèles. Le circuit est caractérisé en ce que les dispositifs de commutation (TRI, TRI) de la première paire sont des transistors à effet de champ (ET) et les dispositifs de commutation de la seconde paire (TRI, TRI) sont des transistors bipolaires à grille isolée (IGBT).
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)