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1. (WO2006128189) RETRECISSEMENTS SUCCESSIFS D'ELASTOMERES, UN PROTOCOLE DE MINIATURISATION SIMPLE POUR PRODUIRE DES MICROSTRUCTURES ET DES NANOSTRUCTURES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/128189    N° de la demande internationale :    PCT/US2006/020985
Date de publication : 30.11.2006 Date de dépôt international : 30.05.2006
CIB :
B28B 7/06 (2006.01), B28B 7/38 (2006.01), B28B 7/40 (2006.01), B29C 55/02 (2006.01), B29C 61/02 (2006.01), B29C 41/00 (2006.01), B29C 43/00 (2006.01), B29C 35/00 (2006.01), B29C 33/42 (2006.01)
Déposants : THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF CALIFORNIA [US/US]; 1111 Franklin Street, 12th Floor, Oakland, CA 94607-5200 (US) (Tous Sauf US).
LIU, Gang-yu [US/US]; (US) (US Seulement).
HU, Jun [US/US]; (US) (US Seulement).
TAN, Li [US/US]; (US) (US Seulement).
LIU, Maozi [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : LIU, Gang-yu; (US).
HU, Jun; (US).
TAN, Li; (US).
LIU, Maozi; (US)
Mandataire : YIM, Peter, J.; Morisson & Foerster LLP, 425 Market Street, San Francisco, CA 94105-2482 (US)
Données relatives à la priorité :
60/685,210 27.05.2005 US
Titre (EN) SUCCESSIVE SHRINKING OF ELASTOMERS TO PRODUCE MICRO- AND NANO-STRUCTURES
(FR) RETRECISSEMENTS SUCCESSIFS D'ELASTOMERES, UN PROTOCOLE DE MINIATURISATION SIMPLE POUR PRODUIRE DES MICROSTRUCTURES ET DES NANOSTRUCTURES
Abrégé : front page image
(EN)A stepwise contraction and adsorption nanolithography patterning process can shrink complex microstructures into the nanometer region. The basis of the process is to transfer a pre-engineered microstructure onto a extended elastomer that is then allowed to relax to reduce the microstructure (P1). The new miniaturized structure is then used as a stamp to transfer the structure onto another stretched elastomer. Through iterations of this procedure (P2), patterns of materials with pre-designed geometry are miniaturized to the desired dimensions, including sub- 100 nm. The simplicity and high throughput capability of the stepwise contraction and adsorption nanolithography patterning process make the platform a competitive alternative to other micro- and nanolithography techniques for potential applications in multiplexed sensors, non-binary optical displays, biochips, nanoelectronic devices, and microfluidic devices.
(FR)La présente invention concerne un processus de modélisation par nanolithographie à contraction et adsorption progressives (SCAN) qui permet de rétrécir des microstructures complexes (produites grâce à une technologie de microfabrication actuelle) dans le domaine du nanomètre. Le principe de base de SCAN est de transférer sur un élastomère étiré une microstructure préalablement mise au point. On laisse ensuite cet élastomère étiré se relâcher, ce qui réduit la microstructure de façon correspondante. La nouvelle structure miniaturisée est ensuite utilisée comme un timbre permettant de transférer la structure sur un autre élastomère étiré. En répétant cette procédure, il est possible de miniaturiser aux dimensions souhaitées des modèles de matériaux présentant une géométrie préétablie, y compris à moins de 100 nm. La simplicité et la grande capacité de rendement de SCAN fait de cette plate-forme une alternative compétitive à d'autres techniques de microlithographie et de nanolithographie pour des applications potentielles dans des capteurs multiplexés, des écrans optiques non binaires, des biopuces, des dispositifs nanoélectroniques et des dispositifs microfluidiques.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)