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1. (WO2006127988) STRUCTURES DE TROU D'INTERCONNEXION A FAIBLE INDUCTANCE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/127988    N° de la demande internationale :    PCT/US2006/020407
Date de publication : 30.11.2006 Date de dépôt international : 23.05.2006
CIB :
H01L 21/768 (2006.01), H01L 23/48 (2006.01)
Déposants : INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard, Santa Clara, California 95052 (US) (Tous Sauf US).
HECK, John [US/US]; (US) (US Seulement).
MA, Qing [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : HECK, John; (US).
MA, Qing; (US)
Mandataire : AGHEVLI, Ramin; Caven & Aghevli LLC c/o Intellevate, P.O. Box 52050, Minneapolis, MN 55402 (US)
Données relatives à la priorité :
11/135,112 23.05.2005 US
Titre (EN) LOW INDUCTANCE VIA STRUCTURES
(FR) STRUCTURES DE TROU D'INTERCONNEXION A FAIBLE INDUCTANCE
Abrégé : front page image
(EN)In one embodiment, a method for forming a semiconductor device, comprises forming a first aperture (450) and a second aperture (452) in a first surface of the substrate (440) , the first and second apertures being coaxial; forming, in the first aperture, a first conductive path between the first surface of the substrate and a second surface of the substrate; and forming, in the second aperture, a second conductive path between the first surface of the substrate and a second surface of the substrate .
(FR)Dans un mode de réalisation de l'invention, un procédé de formation de dispositif semi-conducteur consiste à former une première ouverture (450) et une seconde ouverture (452) dans une première surface du substrat (440), la première et la seconde ouverture étant coaxiales, à former dans la première ouverture un premier trajet conducteur entre la première surface du substrat et une seconde surface de ce substrat et, à former dans la seconde ouverture, un second trajet conducteur entre la première surface du substrat et une seconde surface de ce substrat.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)