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1. (WO2006127959) CIRCUIT INTERFACE DE SIGNAL DE COMMANDE POUR MODULES DE MEMOIRE D'ORDINATEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/127959    N° de la demande internationale :    PCT/US2006/020353
Date de publication : 30.11.2006 Date de dépôt international : 25.05.2006
CIB :
G11C 5/14 (2006.01)
Déposants : THUNDER CREATIVE TECHNOLOGIES, INC. [US/US]; 3849 Rambla Pacifico St., Malibu, CA 90265 (US) (Tous Sauf US).
WASHBURN, Robert, D. [US/US]; (US) (US Seulement).
MCCLANAHAN, Robert, F. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : WASHBURN, Robert, D.; (US).
MCCLANAHAN, Robert, F.; (US)
Mandataire : HARRIMAN, J., D. II; Brown Raysman Millstein Felder & Steiner LLP, 1880 Century Park East, 12th Floor, Los Angeles, CA 90067 (US)
Données relatives à la priorité :
60/684,879 25.05.2005 US
11/420,454 25.05.2006 US
Titre (EN) CONTROL SIGNAL INTERFACE CIRCUIT FOR COMPUTER MEMORY MODULES
(FR) CIRCUIT INTERFACE DE SIGNAL DE COMMANDE POUR MODULES DE MEMOIRE D'ORDINATEUR
Abrégé : front page image
(EN)The invention is an electronic circuit designed for incorporation on computer memory modules such as DDR DIMMs. It couples control signals such as address bits, bank selects, enable and even clock signals between the module input connector and the memory devices. The circuit provides low propagation delay, fast rise and fall times with no overshoot or undershoot, and significantly improves timing control compared to memory modules of the present art. Capacitive loading on the motherboard is typically much less than that provided by a single memory device input and is independent of the number of memory devices per bank or the number of banks of memory devices on the memory module. For multiple memory modules connected to the memory bus, capacitive loading is essentially N times the equivalent loading for a single memory module.
(FR)Circuit électronique conçu pour être incorporé dans des modules de mémoire d'ordinateur tels que DDR DIMM. Ce circuit couple des signaux de commande tels que bits d'adresse, sélection de blocs, validation, voire des signaux d'horloge, entre le connecteur d'entrée de module et les dispositifs de mémoire. Avantages du circuit: faible retard de propagation, montée et descente rapide sans dépassement ni oscillation, commande de synchronisation sensiblement meilleure qu'avec les modules mémoire actuels. La charge capacitive exercée sur la carte mère est généralement bien inférieure à ce qu'elle serait dans le cas d'une entrée à dispositif de mémoire unique et ne dépend pas du nombre de dispositifs de mémoire par bloc ou du nombre de blocs des dispositifs de mémoire du module de mémoire. Dans le case de modules de mémoire multiples connectés au bus mémoire, la charge capacitive correspond sensiblement à N fois la charge équivalente pour un module de mémoire unique.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)