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1. (WO2006127914) TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP A GRILLE EN TRANCHEE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/127914    N° de la demande internationale :    PCT/US2006/020274
Date de publication : 30.11.2006 Date de dépôt international : 24.05.2006
CIB :
H01L 27/102 (2006.01), H01L 29/76 (2006.01), H01L 29/94 (2006.01), H01L 31/119 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 21/322 (2006.01)
Déposants : FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION [US/US]; 82 Running Hill Road, South Portland, ME 04106-0022 (US) (Tous Sauf US).
YILMAZ, Hamza [US/US]; (US) (US Seulement).
CALAFUT, Daniel [US/US]; (US) (US Seulement).
KOCON, Christopher, Boguslaw [US/US]; (US) (US Seulement).
SAPP, Steven, P. [US/US]; (US) (US Seulement).
PROBST, Dean, E. [US/US]; (US) (US Seulement).
KRAFT, Nathan, L. [US/US]; (US) (US Seulement).
GREBS, Thomas, E. [US/US]; (US) (US Seulement).
RIDLEY, Rodney, S. [US/US]; (US) (US Seulement).
DOLNY, Gary, M. [US/US]; (US) (US Seulement).
MARCHANT, Bruce, D. [US/US]; (US) (US Seulement).
YEDINAK, Joseph, A. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : YILMAZ, Hamza; (US).
CALAFUT, Daniel; (US).
KOCON, Christopher, Boguslaw; (US).
SAPP, Steven, P.; (US).
PROBST, Dean, E.; (US).
KRAFT, Nathan, L.; (US).
GREBS, Thomas, E.; (US).
RIDLEY, Rodney, S.; (US).
DOLNY, Gary, M.; (US).
MARCHANT, Bruce, D.; (US).
YEDINAK, Joseph, A.; (US)
Mandataire : SANI, Barmak; Two Embarcadero Center, 8th Floor, San Francisco, CA 94111-3834 (US)
Données relatives à la priorité :
60/685,727 26.05.2005 US
Titre (EN) TRENCH-GATE FIELD EFFECT TRANSISTORS AND METHODS OF FORMING THE SAME
(FR) TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP A GRILLE EN TRANCHEE
Abrégé : front page image
(EN)A field effect transistor includes a body region of a first conductivity type over a semiconductor region of a second conductivity type. A gate trench extends through the body region and terminates within the semiconductor region. At least one conductive shield electrode is disposed in the gate trench. A gate electrode is disposed in the gate trench over but insulated from the at least one conductive shield electrode. A shield dielectric layer insulates the at lease one conductive shield electrode from the semiconductor region. A gate dielectric layer insulates the gate electrode from the body region. The shield dielectric layer is formed such that it flares out and extends directly under the body region.
(FR)L'invention concerne un transistor à effet de champ comprenant une région de corps d'un premier type de conductivité placée sur une région semi-conductrice d'un second type de conductivité. Une tranchée de grille s'étend à travers la région de corps et se termine à l'intérieur de la région semi-conductrice. Au moins une électrode conductrice de blindage est disposée dans la tranchée de grille. Une électrode de grille est disposée dans la tranchée de grille sur l'électrode conductrice de blindage mais isolée de celle-ci. Une couche diélectrique de blindage isole l'électrode conductrice de blindage de la région semi-conductrice. Une couche diélectrique de grille isole l'électrode de grille de la région de corps. La couche diélectrique de blindage est formée de sorte qu'elle s'évase et s'étend directement sous la région de corps.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)