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1. (WO2006127894) DEPOT DE MATIERES SOUMISES A UNE CONTRAINTE DE TRACTION ET DE COMPRESSION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/127894    N° de la demande internationale :    PCT/US2006/020227
Date de publication : 30.11.2006 Date de dépôt international : 22.05.2006
CIB :
H01L 21/318 (2006.01), C23C 16/34 (2006.01)
Déposants : APPLIED MATERIALS, INC. [US/US]; Patent Department, M/S 2061, Santa Clara, CA 95052 (US) (Tous Sauf US).
STERN, Lewis [US/US]; (US) (US Seulement).
ALBRIGHT, John [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : STERN, Lewis; (US).
ALBRIGHT, John; (US)
Mandataire : JANAH, Ashok, K.; JANAH & ASSOCIATES, P.C., 650 Delancey Street, Suite 106, San Francisco, CA 94107 (US)
Données relatives à la priorité :
11/134,981 23.05.2005 US
Titre (EN) DEPOSITION OF TENSILE AND COMPRESSIVE STRESSED MATERIALS
(FR) DEPOT DE MATIERES SOUMISES A UNE CONTRAINTE DE TRACTION ET DE COMPRESSION
Abrégé : front page image
(EN)A method of depositing tensile or compressively stressed silicon nitride 20 on a substrate 32 is described. Silicon nitride 20 having a tensile stress with an absolute value of at least about 1200 MPa can be deposited from process gas comprising silicon-containing gas and nitrogen-containing gas, maintained in an electric field having a strength of from about 25 V/mil to about 300 V/mil. The electric field is formed by applying a voltage at a power level of less than about 60 Watts across electrodes 105, 109 that are spaced apart by a separation distance that is at least about 600 mils. Alternatively, silicon nitride 20 having a compressive stress with an absolute value of at least about 2000 MPa can be formed in an electric field having a strength of from about 400 V/mil to about 800 V/mil.
(FR)Procédé permettant de déposer du nitrure de silicium (20) soumis à une contrainte de traction ou de compression sur un substrat (32). Du nitrure de silicium (20) soumis à une contrainte de traction d'une valeur absolue d'au moins environ 1200 MPa peut être déposé à partir d'un gaz de travail constitué de gaz contenant du silicium et de gaz contenant de l'azote, maintenu dans un champ électrique ayant une intensité d'environ 25 V/mil à environ 300 V/mil. Le champ électrique est formé par application d'une tension à un niveau de puissance inférieure à environ 60 watts sur des électrodes (105, 109) qui sont espacées à raison d'une distance d'au moins environ 600 mils. Alternativement, du nitrure de silicium (20) soumis à une contrainte de compression d'une valeur absolue d'au moins environ 2000 MPa peut être formé dans un champ électrique ayant une intensité d'environ 400 V/mil à environ 800 V/mil.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)