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1. (WO2006127846) PROCEDE ET STRUCTURE AU SILICIURE DE NICKEL
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2006/127846 N° de la demande internationale : PCT/US2006/020147
Date de publication : 30.11.2006 Date de dépôt international : 24.05.2006
CIB :
H01L 27/088 (2006.01)
Déposants : JAISWAL, Rajneesh[IN/US]; US (UsOnly)
TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED[US/US]; P.O. Box 655474, Mail Station 3999 Dallas, TX 75265-5474, US (AllExceptUS)
Inventeurs : JAISWAL, Rajneesh; US
Mandataire : FRANZ, Warren, L.; Texas Instruments Incorporated Deputy General Patent Counsel P.O. Box 655474, M/S 3999 Dallas, TX 75265-5474, US
Données relatives à la priorité :
11/136,15924.05.2005US
Titre (EN) NICKEL SILICIDE METHOD AND STRUCTURE
(FR) PROCEDE ET STRUCTURE AU SILICIURE DE NICKEL
Abrégé : front page image
(EN) Nickel silicide contact regions are formed on a source (2), drain (3) and polycrystalline silicon gate (5) of an integrated circuit transistor by annealing it after a nickel layer has been deposited on the source, drain, and gate, with no cap layer on the nickel layer. Nickel silicide bridging between the gate and source and/or drain is avoided or eliminated by using a chrome etching process to remove un-reacted nickel and nickel remnants from exposed surfaces of dielectric spacers (6A,B) located between the gate and source and between the gate and drain. The chrome etching process includes use of a solution including cerric ammonium nitrate, nitric acid, and acetic acid.
(FR) Des régions de contact au siliciure de nickel sont formées sur une source (2), un drain (3) et une gâchette au silicium polycristallin (5) d'un transistor à circuit intégré par recuit de ce dernier après qu'une couche de nickel ait été déposée sur la source, le drain et la gâchette, sans que la couche de nickel comporte de couche supérieure. La formation d'un pont par le siliciure de nickel entre la gâchette et la source et/ou le drain est inhibée ou éliminée du fait de l'utilisation d'un processus d'attaque au chrome qui élimine le nickel n'ayant pas réagi et les restes de nickel se trouvant sur les surfaces exposées d'espaceurs diélectriques (6A,B) situés entre la gâchette et la source et entre la gâchette et le drain. Le processus d'attaque au chrome consiste à utiliser une solution comprenant du nitrate d'ammonium cerrique, de l'acide nitrique et de l'acide acétique.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)