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1. (WO2006127814) OPTIMISATION DE LA LARGEUR DE LIGNE DE LIAISON DIRECTE A LA MICRO-PLAQUETTE POUR REDUIRE LA CAPACITANCE PARASITE DANS LES ACCELEROMETRES EN TECHNOLOGIE DES SYSTEMES MICRO-ELECTROMECANIQUES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/127814    N° de la demande internationale :    PCT/US2006/020084
Date de publication : 30.11.2006 Date de dépôt international : 24.05.2006
CIB :
G01P 15/08 (2006.01), G01M 13/02 (2006.01), B81C 3/00 (2006.01)
Déposants : NORTHROP GRUMMAN CORPORATION [US/US]; 1840 Century Park East Los Angeles, California 90067-2101 (US) (Tous Sauf US).
ABBINK, Henry C. [US/US]; (US) (US Seulement).
KUHN, Gabriel M. [US/US]; (US) (US Seulement).
GE, Howard [US/US]; (US) (US Seulement).
SAKAIDA, Daryl [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : ABBINK, Henry C.; (US).
KUHN, Gabriel M.; (US).
GE, Howard; (US).
SAKAIDA, Daryl; (US)
Mandataire : GESS, Albin H.; SNELL & WILMER LLP, 600 Anton Boulevard, Suite 1400, Costa Mesa, California 92626 (US)
Données relatives à la priorité :
60/684,431 25.05.2005 US
Titre (EN) METHOD FOR OPTIMIZING DIRECT WAFER BOND LINE WIDTH FOR REDUCTION OF PARASITIC CAPACITANCE IN MEMS ACCELEROMETERS
(FR) OPTIMISATION DE LA LARGEUR DE LIGNE DE LIAISON DIRECTE A LA MICRO-PLAQUETTE POUR REDUIRE LA CAPACITANCE PARASITE DANS LES ACCELEROMETRES EN TECHNOLOGIE DES SYSTEMES MICRO-ELECTROMECANIQUES
Abrégé : front page image
(EN)A method for optimizing direct wafer bond line width for reduction of parasitic capacitance in a MEMS device by reducing the width of a bond line between a first and a second wafer, exposing the MEMS device to a water vapor for a predetermined time period and at a first temperature capable of evaporating water, cooling the MEMS device at a second temperature capable of freezing the water, and operating the MEMS device at a third temperature capable of freezing the water to determine if there is discontinuity during operation.
(FR)La présente invention concerne un procédé permettant d'optimiser la ligne de liaison directe à la microplaquette pour réduire la capacitance parasite dans un dispositif en technologie des systèmes micro-électromécaniques par réduction de la largeur de la ligne de liaison entre une première et une seconde microplaquette, exposition du dispositif en technologie des systèmes micro-électromécaniques à de la vapeur d'eau pour une durée déterminée à une première température permettant l'évaporation de l'eau, refroidissement du dispositif en technologie des systèmes micro-électromécaniques à une deuxième température permettant de geler l'eau, et mise en oeuvre du dispositif en technologie des systèmes micro-électromécaniques à une troisième température permettant de geler l'eau pour vérifier s'il y a discontinuité pendant la mise en oeuvre.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)