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1. (WO2006127777) CONCEPTION DE PUCE D'ACCELEROMETRE EN SILICIUM A DES FINS DE MINIATURISATION ET DE REDUCTION DES DISTORSIONS THERMIQUES, ET SIMPLIFICATION DE PROCESSUS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/127777    N° de la demande internationale :    PCT/US2006/020031
Date de publication : 30.11.2006 Date de dépôt international : 24.05.2006
CIB :
G01P 15/125 (2006.01), G01P 1/02 (2006.01), G01P 15/13 (2006.01), G01P 15/08 (2006.01)
Déposants : NORTHROP GRUMMAN CORPORATION [US/US]; 1840 Century Park East, Los Angeles, California 90067-2101 (US) (Tous Sauf US).
ABBINK, Henry C. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : ABBINK, Henry C.; (US)
Mandataire : GESS, Albin H.; SNELL & WILMER LLP, 600 Anton Boulevard, Suite 1400, Costa Mesa, California 92626 (US)
Données relatives à la priorité :
60/684,290 25.05.2005 US
Titre (EN) SILICON ACCELEROMETER CHIP DESIGN FOR SIZE AND THERMAL DISTORTION REDUCTION AND PROCESS SIMPLIFICATION
(FR) CONCEPTION DE PUCE D'ACCELEROMETRE EN SILICIUM A DES FINS DE MINIATURISATION ET DE REDUCTION DES DISTORSIONS THERMIQUES, ET SIMPLIFICATION DE PROCESSUS
Abrégé : front page image
(EN)A silicon accelerometer sensor configured for thermal distortion reduction having a first wafer with a first cutout from one side of the first wafer at substantially the center of the side, a second wafer stacked underneath the first wafer, and a first metal contact extending from the top surface of the first wafer through the first cutout to the top surface of the second wafer.
(FR)Un détecteur accélérométrique de silicium configuré pour réduire les distorsions thermiques comprend une première tranche présentant une première entaille, sensiblement centrale, sur un premier côté, une seconde tranche placée sous la première tranche, et un premier contact métallique qui s'étend de la face supérieure de la première tranche à la face supérieure de la seconde tranche, en passant par la première entaille.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)