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1. (WO2006127751) PROCEDE D'ATTENUATION DE LA PENETRATION DE BRUITS DE SUBSTRAT DANS DES CIRCUITS SENSIBLES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/127751    N° de la demande internationale :    PCT/US2006/019989
Date de publication : 30.11.2006 Date de dépôt international : 23.05.2006
CIB :
H01L 29/76 (2006.01), H01L 29/00 (2006.01)
Déposants : AMALFI SEMICONDUCTOR, INC. [US/US]; 475 ALBERTO WAY, Suite 200, Los Gatos, CA 95032 (US) (Tous Sauf US).
SZETO, Clement [US/US]; (US) (US Seulement).
WOO, Chong [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : SZETO, Clement; (US).
WOO, Chong; (US)
Mandataire : DAVIS, Paul; HELLER EHRMAN LLP, 275 Middlefield Road, Menlo Park, CA 94025 (US)
Données relatives à la priorité :
60/683,976 23.05.2005 US
Titre (EN) ELECTRICALLY ISOLATED CMOS DEVICE
(FR) PROCEDE D'ATTENUATION DE LA PENETRATION DE BRUITS DE SUBSTRAT DANS DES CIRCUITS SENSIBLES
Abrégé : front page image
(EN)A CMOS device includes a p-type substrate (12) and an isolated PWeIl region (24) An isolation region has an NWeIl region (18,22) abutting a perimeter of the PWeIl region The isolation region includes a DNWeIl region (20) positioned below the PWeIl region and an NWeIl region The NWeIl region (22) forms a sidewall of a tub and the DNWeIl region (20) forms a bottom of the tub The tub (18,20,22) is an n-type region that physically and electrically isolates an enclosed PWeIl region (24) from the p-type substrate (12) A NTN region (26) is formed in the p- type substrate and at least partially abuts an outer perimeter of the NWeIl region The NTN region (26) is defined as a non-PWell and a non-NWell region The NTN region (26) enhances electrical isolation of the circuits inside the PWeIl region from circuits outside of the PWeIl region In one embodiment, the high-frequency performance of an NMOSFET inside the isolated PWeIl is improved because of the reduced sidewall capacitance with the NTN region.
(FR)Cette invention concerne un dispositif CMOS comprenant un substrat dopé P et une région de puits dopée P isolée. Une région d'isolation comporte une région de puits dopé N touchant la région de puits dopé P. Cette région d'isolation comprend une région de puits dopé DN située sous la région de puits dopé P et sous une région de puits dopée N. La région de puits dopée N forme une paroi latérale de cuvette et la région de puits dopée DN le fond de la cuvette. La cuvette est constituée par une région de type n qui isole physiquement et électriquement la région de puits dopée P fermée du substrat de type p. Une région NTN est formée dans le substrat de type P et touche au moins partiellement le périmètre extérieur de la région de puits dopée N. La région NTN est définie comme une région de non-puits P et de non-puits N. Ladite région NTN améliore l'isolement électrique des circuits à l'intérieur de la région de puits dopé P par rapport aux circuits situés hors de cette même région. Dans un mode de réalisation, les performances haute fréquence d'un NMOSFET à l'intérieur du puits dopé P isolé se trouvent améliorées compte tenu de la capacitance réduite de la paroi avec la région NTN.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)