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1. (WO2006127225) DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEURS COMPRENANT UNE COUCHE D'INTERFACE DIELECTRIQUE A SUPERPOSITION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/127225    N° de la demande internationale :    PCT/US2006/016998
Date de publication : 30.11.2006 Date de dépôt international : 02.05.2006
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    22.03.2007    
CIB :
H01L 29/15 (2006.01), H01L 29/423 (2006.01), H01L 29/772 (2006.01)
Déposants : MEARS TECHNOLOGIES, INC. [US/US]; 1100 Winter Street, Suite 4700, Waltham, MA 02451 (US) (Tous Sauf US).
MEARS, Robert, J. [GB/US]; (US) (US Seulement).
HYTHA, Marek [CZ/US]; (US) (US Seulement).
KREPS, Scott, A. [US/US]; (US) (US Seulement).
STEPHENSON, Robert, John [CA/US]; (US) (US Seulement).
YIPTONG, Jean, Austin, Chan, Sow, Fook [MU/US]; (US) (US Seulement).
DUKOVSKI, Ilija [MK/US]; (US) (US Seulement).
RAO, Kalipatnam, Vivek [US/US]; (US) (US Seulement).
HALILOV, Samed [RU/US]; (US) (US Seulement).
HUANG, Xiangyang [CN/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : MEARS, Robert, J.; (US).
HYTHA, Marek; (US).
KREPS, Scott, A.; (US).
STEPHENSON, Robert, John; (US).
YIPTONG, Jean, Austin, Chan, Sow, Fook; (US).
DUKOVSKI, Ilija; (US).
RAO, Kalipatnam, Vivek; (US).
HALILOV, Samed; (US).
HUANG, Xiangyang; (US)
Mandataire : REGAN, Christopher, F.; Allen, Dyer, Doppelt, Milbrath & Gilchrist, 255 South Orange Avenue, Suite 1401, P.O. Box 3791, Orlando, FL 32802-3791 (US)
Données relatives à la priorité :
11/136,881 25.05.2005 US
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE COMPRISING A SUPERLATTICE DIELECTRIC INTERFACE LAYER
(FR) DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEURS COMPRENANT UNE COUCHE D'INTERFACE DIELECTRIQUE A SUPERPOSITION
Abrégé : front page image
(EN)A semiconductor device may include a semiconductor substrate and at least one active device adjacent the semiconductor substrate. The at least one active device may include an electrode layer, a high-K dielectric layer underlying the electrode layer and in contact therewith, and a superlattice underlying the high-K dielectric layer opposite the electrode layer and in contact with the high-K dielectric layer. The superlattice may include a plurality of stacked groups of layers. Each group of layers of the superlattice may include a plurality of stacked base semiconductor monolayers defining a base semiconductor portion and at least one non-semiconductor monolayer constrained within a crystal lattice of adjacent base semiconductor portions.
(FR)Un dispositif à semi-conducteurs peut contenir un substrat semi-conducteur et au moins un dispositif actif adjacent au substrat. Le au moins un dispositif actif peut contenir une couche d'électrode, une couche diélectrique à K élevé sous la couche d'électrode et en contact avec celle-ci et un réseau superposé sous la couche diélectrique à K élevé à l'opposé de la couche d'électrode et en contact avec la couche diélectrique. Le réseau superposé peut présenter une pluralité de groupes empilés de couches, chaque groupe à couches du réseau superposé peut présenter une pluralité de monocouches empilées à semi-conducteurs de base délimitant une partie semi-conductrice de base et au moins une monocouche non semi-conductrice confinée dans un réseau cristallin de parties adjacentes semi-conductrices de base.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)