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1. (WO2006127215) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF SEMI-CONDUCTUER COMPRENANT UNE COUCHE D’INTERFACE DIÉLECTRIQUE EN RÉSEAU SUPERPOSÉ
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/127215    N° de la demande internationale :    PCT/US2006/016664
Date de publication : 30.11.2006 Date de dépôt international : 02.05.2006
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    23.03.2007    
CIB :
H01L 29/51 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01), H01L 29/15 (2006.01)
Déposants : MEARS TECHNOLOGIES, INC. [US/US]; 1100 Winter Street, Suite 4700, Waltham, Massachusetts 02451 (US) (Tous Sauf US).
MEARS, Robert J. [GB/US]; (US) (US Seulement).
HYTHA, Marek [CZ/US]; (US) (US Seulement).
KREPS, Scott A. [US/US]; (US) (US Seulement).
STEPHENSON, Robert John [CA/US]; (US) (US Seulement).
YIPTONG, Jean Augustin Chan Sow Fook [MU/US]; (US) (US Seulement).
DUKOVSKI, Ilija [MK/US]; (US) (US Seulement).
RAO, Kalipatnam Vivek [US/US]; (US) (US Seulement).
HALILOV, Samed [RU/US]; (US) (US Seulement).
HUANG, Xiangyang [CN/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : MEARS, Robert J.; (US).
HYTHA, Marek; (US).
KREPS, Scott A.; (US).
STEPHENSON, Robert John; (US).
YIPTONG, Jean Augustin Chan Sow Fook; (US).
DUKOVSKI, Ilija; (US).
RAO, Kalipatnam Vivek; (US).
HALILOV, Samed; (US).
HUANG, Xiangyang; (US)
Mandataire : REGAN, Christopher F.; 255 S. Orange Ave, Suite 1401, Orlando, Florida 32802-3791 (US)
Données relatives à la priorité :
11/136,747 25.05.2005 US
Titre (EN) METHOD FOR MAKING A SEMICONDUCTOR DEVICE COMPRISING A SUPERLATTICE DIELECTRIC INTERFACE LAYER
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF SEMI-CONDUCTUER COMPRENANT UNE COUCHE D’INTERFACE DIÉLECTRIQUE EN RÉSEAU SUPERPOSÉ
Abrégé : front page image
(EN)A method for making a semiconductor device may include forming a superlattice (25) comprising a plurality of stacked groups of layers (45a-45n) adjacent a substrate. Each group of layers of the superlattice may include a plurality of stacked base semiconductor monolayers (46a-46n) defining a base semiconductor portion, and at least one non-semiconductor monolayer (50) constrained within a crystal lattice of adjacent base semiconductor portions. The method may further include forming a high-K dielectric layer (37) on the superlattice layer, and forming an electrode layer on the high-K dielectric layer and opposite the superlattice.
(FR)L’invention concerne un procédé de fabrication d’un dispositif semi-conducteur qui peut inclure la formation d'un réseau superposé (25) comprenant une pluralité de groupes de couches (45a-45n) empilées adjacentes à un substrat. Chaque groupe de couches du réseau superposé peut comprendre une pluralité de monocouches de semi-conducteur de base (46a-46n) empilées définissant une portion de semi-conducteur de base, et au moins une monocouche n'étant pas en semi-conducteur (50) confinée dans un réseau de cristaux des portions de semi-conducteur de base adjacentes. Le procédé selon l’invention peut en outre inclure la formation d’une couche diélectrique à haut K (37) sur la couche de réseau superposé, et la formation d’une couche d’électrode sur la couche diélectrique à haut K et opposée au réseau superposé.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)