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1. (WO2006127157) PROCEDE DE TRANSFERT D'UNE COUCHE MINCE CRISTALLINE SEMI-CONDUCTRICE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/127157    N° de la demande internationale :    PCT/US2006/013520
Date de publication : 30.11.2006 Date de dépôt international : 11.04.2006
CIB :
H01L 21/46 (2006.01)
Déposants : THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF CALIFORNIA [US/US]; Los Alamos National Laboratory, LC/IP, MS A187, Los Alamos, NM 87545 (US)
Inventeurs : NASTASI, Michael, A.; (US).
SHAO, Lin; (US).
THOMPSON, Philip, E.; (US).
LAU, Silvanus, S.; (US).
THEODORE, N., David; (US).
ALFORD, Terry, L.; (US).
MAYER, James, W.; (US)
Mandataire : BORKOWSKY, Samuel, L.; Los Alamos National Laboratory, LC/IP, MS A187, Los Alamos, NM 87545 (US)
Données relatives à la priorité :
11/137,979 25.05.2005 US
Titre (EN) METHOD OF TRANSFERRING A THIN CRYSTALLINE SEMICONDUCTOR LAYER
(FR) PROCEDE DE TRANSFERT D'UNE COUCHE MINCE CRISTALLINE SEMI-CONDUCTRICE
Abrégé : front page image
(EN)A method for transferring a monocrystalline, thin layer from a first substrate onto a second substrate involves deposition of a doped semiconductor layer on a substrate and epitaxial growth of a thin, monocrystalline, semiconductor layer on the doped layer. After bonding the thin epitaxial monocrystalline semiconductor layer to a second substrate, hydrogen is introduced into the doped layer, and the thin layer is cleaved and transferred to the second substrate, with the cleaving controlled to happen at the doped layer.
(FR)L'invention concerne un procédé de transfert d'une couche mince monocristalline d'un premier substrat sur un second substrat et consistant à déposer une couche semi-conductrice dopée sur un substrat et en une croissance épitaxiale d'une couche mince monocristalline semi-conductrice sur la couche dopée. Après la liaison de la couche mince épitaxiale monocristalline semi-conductrice sur un second substrat, de l'hydrogène est introduit dans la couche dopée et la couche mince est clivée et transférée sur le second substrat, le clivage étant commandé pour avoir lieu au niveau de la couche dopée.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)