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1. (WO2006127030) DIODE ELECTROLUMINESCENTE BLANCHE A HAUT RENDEMENT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/127030    N° de la demande internationale :    PCT/US2005/032895
Date de publication : 30.11.2006 Date de dépôt international : 15.09.2005
CIB :
H01L 33/00 (2010.01)
Déposants : CREE, INC. [US/US]; 4600 Silicon Drive, Durham, NC 27703-8475 (US) (Tous Sauf US).
IBBETSON, James [GB/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : IBBETSON, James; (US)
Mandataire : SUMMA, Philip; Summa, Allan & Additon, P.A., 11610 N. Community House Road, Suite 200, Charlotte, NC 28277 (US)
Données relatives à la priorité :
60/683,027 20.05.2005 US
Titre (EN) HIGH EFFICACY WHITE LED
(FR) DIODE ELECTROLUMINESCENTE BLANCHE A HAUT RENDEMENT
Abrégé : front page image
(EN)A white light emitting solid-state lamp is disclosed having an output of at least 75 lumens per watt at 20 milliamps drive current. The lamp includes a light emitting diode, an encapsulant, and a header. The diode includes a conductive silicon carbide substrate for electrical contact and a Group III nitride active portion on the silicon carbide substrate for generating desired frequency photons under the application of current across the diode. The header includes a reflective cup for supporting the diode and for providing electrical contact to the diode and to the active portion. The encapsulant includes a phosphor, present in at least portions of the encapsulant for generating responsive frequencies when the phosphor is excited by the frequencies emitted by the diode.
(FR)L'invention concerne une lampe à diode électroluminescente à émission de lumière blanche ayant un rendement d'au moins 75 lumens par watt à un courant d'attaque de 20 milliampères. La lampe inclut une diode électroluminescente, un matériau d'encapsulation et une embase. La diode inclut un substrat de carbure de silicium conducteur pour le contact électrique et une partie active en nitrure du groupe III sur le substrat de carbure de silicium pour générer des photons de fréquence voulue par l'application d'un courant aux bornes de la diode. L'embase inclut une cloche réfléchissante pour soutenir la diode et pour mettre en contact électrique celle-ci ainsi que la partie active. Le matériau d'encapsulation inclut un phosphore, présent au moins dans certaines parties de ce même matériau pour générer des fréquences sensibles lorsque le phosphore est excité par les fréquences émises par la diode.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)