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1. (WO2006126968) DISPOSITIF À CRISTAUX LIQUIDES TRANSFLECTIF ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/126968    N° de la demande internationale :    PCT/SG2005/000157
Date de publication : 30.11.2006 Date de dépôt international : 21.05.2005
CIB :
G02F 1/1343 (2006.01), G02F 1/1368 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), G09F 9/35 (2006.01)
Déposants : THE HONG KONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY [CN/CN]; Technology Transfer Center, The Hong Kong University of Science and Technology, Clear Water Bay, Kowloon, Hong Kong SAR (CN) (Tous Sauf US).
TOH, Boon Yan Coral [SG/CN]; (CN) (AG only).
MENG, Zhiguo [CN/CN]; (CN) (US Seulement).
WONG, Man [US/CN]; (CN) (US Seulement).
KWOK, Hoi-Sing [US/CN]; (CN) (US Seulement)
Inventeurs : MENG, Zhiguo; (CN).
WONG, Man; (CN).
KWOK, Hoi-Sing; (CN)
Mandataire : ELLA CHEONG SPRUSON & FERGUSON (SINGAPORE) PTE LTD; P O Box 1531, Robinson Road Post Office, Singapore 903031 (SG)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) A TRANSFLECTIVE LIQUID CRYSTAL DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME
(FR) DISPOSITIF À CRISTAUX LIQUIDES TRANSFLECTIF ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Abrégé : front page image
(EN)The construction of electrodes for liquid-crystal displays using larger grain lower absorption (LGLA) poly-Si showing an absorptivity below 20 % in the visible light region is described. Integration in the manufacturing of substrates for active-matrix LCDs is shown. Source, drain and channel region (108b, 108c, 108d) of the TFTs as well as the pixel-electrode (108e) are formed conjointly in a single poly-Si layer.
(FR)La présente invention concerne la construction d’électrodes pour des affichages à cristaux liquides utilisant un poly-Si à absorption inférieure et grain supérieur (LGLA) présentant une absorptivité inférieure à 20% dans le spectre de lumière visible. Elle présente l’intégration dans la fabrication de substrats pour LCD à matrices actives. La source, le drain et la zone de canal (108b, 108c, 108d) des transistors à couche mince ainsi que l'électrode de pixel (108e) sont formées conjointement dans une monocouche de poly-Si.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)