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1. (WO2006126515) DISPOSITIF EN ALLIAGE TI-NI-NB
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/126515    N° de la demande internationale :    PCT/JP2006/310199
Date de publication : 30.11.2006 Date de dépôt international : 23.05.2006
CIB :
C22C 19/03 (2006.01), A61F 2/82 (2013.01), A61L 31/00 (2006.01), A61M 29/02 (2006.01), C22C 1/00 (2006.01), C22C 14/00 (2006.01), C22F 1/00 (2006.01), C22F 1/10 (2006.01)
Déposants : NEC TOKIN CORPORATION [JP/JP]; 7-1, Koriyama 6-chome, Taihaku-ku, Sendai-shi, Miyagi 9828510 (JP) (Tous Sauf US).
TOHOKU UNIVERSITY [JP/JP]; 1-1, Katahira 2-chome, Aoba-ku, Sendai-shi, Miyagi 9808577 (JP) (Tous Sauf US).
JAPAN STENT TECHNOLOGY CO., LTD. [JP/JP]; 5303, Haga, Okayama-shi, Okayama 7011221 (JP) (Tous Sauf US).
OZAWA, Michihide [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
YAMAUCHI, Kiyoshi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
SUTOU, Yuji [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
TAKAGI, Takamitsu [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
YAMASHITA, Shuzou [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
MORI, Kouji [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : OZAWA, Michihide; (JP).
YAMAUCHI, Kiyoshi; (JP).
SUTOU, Yuji; (JP).
TAKAGI, Takamitsu; (JP).
YAMASHITA, Shuzou; (JP).
MORI, Kouji; (JP)
Mandataire : IKEDA, Noriyasu; The Third Mori Building 4-10, Nishishinbashi 1-chome Minato-ku, Tokyo 1050003 (JP)
Données relatives à la priorité :
2005-149342 23.05.2005 JP
Titre (EN) Ti-Ni-Nb ALLOY DEVICE
(FR) DISPOSITIF EN ALLIAGE TI-NI-NB
(JA) Ti-Ni-Nb合金素子
Abrégé : front page image
(EN)A Ti-Ni-Nb alloy device as a shape-memory device excelling in response characteristics. There is provided a Ti-Ni-Nb alloy device comprised of a Ti-Ni-Nb alloy whose transformation is terminated at a temperature lower than 10°C after initiation of reverse transformation.
(FR)Dispositif en alliage Ti-Ni-Nb servant de dispositif à mémoire de forme présentant d'excellentes caractéristiques de réponse. La présente invention concerne un dispositif en alliage Ti-Ni-Nb constitué d'un alliage Ti-Ni-Nb dont la transformation est achevée à une température inférieure à 10° C après l'initiation de la transformation inverse.
(JA) 応答性に優れた形状記憶素子であるTi-Ni-Nb合金素子を提供する。  Ti-Ni-Nb合金素子は、逆変態開始後10°C未満の温度で変態が終了するTi-Ni-Nb合金からなる。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)