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1. (WO2006126503) SUPPORT ÉLECTROSTATIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/126503    N° de la demande internationale :    PCT/JP2006/310182
Date de publication : 30.11.2006 Date de dépôt international : 23.05.2006
CIB :
H01L 21/683 (2006.01), B23Q 3/15 (2006.01), H02N 13/00 (2006.01)
Déposants : TOTO LTD. [JP/JP]; 1-1, Nakashima 2-chome, Kokurakita-ku, Kitakyusyu-shi, Fukuoka 8028601 (JP) (Tous Sauf US).
ITAKURA, Ikuo [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
HIMURO, Shoichiro [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : ITAKURA, Ikuo; (JP).
HIMURO, Shoichiro; (JP)
Mandataire : KOYAMA, Yuu; Shuwa Kioicho TBR Bldg. Suite 922 5-7, Kojimachi Chiyoda-ku, Tokyo 1020083 (JP)
Données relatives à la priorité :
2005-151483 24.05.2005 JP
Titre (EN) ELECTROSTATIC CHUCK
(FR) SUPPORT ÉLECTROSTATIQUE
(JA) 静電チャック
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed is an electrostatic chuck which is excellent in plasma resistance and performance of cooling an object sucked thereby. The electrostatic chuck has a basic structure wherein an insulating film (22) is formed on the surface of a metal plate (21) by thermal spray, a dielectric substrate (24) is bonded onto the insulating film (22) via an insulating adhesive layer (23), and electrodes (25, 25) are formed on the lower surface of the dielectric substrate (24). Meanwhile, the upper surface of the dielectric substrate (24) serves as a stage surface on which an object to be sucked such as a semiconductor wafer is placed.
(FR)La présente invention concerne un support électrostatique présentant une résistance au plasma et une capacité à refroidir un objet aspiré excellentes. Le support électrostatique selon l’invention comporte une structure de base comportant une pellicule isolante (22) placée sur la surface d’une plaque métallique (21) par pulvérisation thermique, un substrat diélectrique (24) étant fixé à la pellicule isolante (22) par une couche isolante adhésive (23), et des électrodes (25, 25) placées sur la surface inférieure du substrat diélectrique (24). Dans le même temps, la surface supérieure du substrat diélectrique (24) sert de surface de platine sur laquelle est placé un objet à aspirer, comme une galette en semi-conducteur.
(JA)not available
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)