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1. (WO2006126406) COMPOSITION FORMANT UN FILM DE COUCHE DE BASE CONTENANT UN COMPOSÉ POLYSILANE POUR LA LITHOGRAVURE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/126406    N° de la demande internationale :    PCT/JP2006/309576
Date de publication : 30.11.2006 Date de dépôt international : 12.05.2006
CIB :
G03F 7/11 (2006.01), C08L 83/16 (2006.01), C09D 5/00 (2006.01), C09D 183/16 (2006.01), H01L 21/027 (2006.01)
Déposants : NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD. [JP/JP]; 7-1, Kandanishiki-cho 3-chome, Chiyoda-ku Tokyo 1010054 (JP) (Tous Sauf US).
TAKEI, Satoshi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
HASHIMOTO, Keisuke [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
NAKAJIMA, Makoto [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : TAKEI, Satoshi; (JP).
HASHIMOTO, Keisuke; (JP).
NAKAJIMA, Makoto; (JP)
Mandataire : HANABUSA, Tsuneo; c/o Hanabusa Patent Office, Shin-Ochanomizu Urban Trinity, 2, Kandasurugadai 3-chome, Chiyoda-ku Tokyo 1010062 (JP)
Données relatives à la priorité :
2005-150420 24.05.2005 JP
Titre (EN) POLYSILANE COMPOUND-CONTAINING LOWER LAYER FILM FORMING COMPOSITION FOR LITHOGRAPHY
(FR) COMPOSITION FORMANT UN FILM DE COUCHE DE BASE CONTENANT UN COMPOSÉ POLYSILANE POUR LA LITHOGRAVURE
(JA) ポリシラン化合物を含むリソグラフィー用下層膜形成組成物
Abrégé : front page image
(EN)[PROBLEMS] To provide a lower layer film for use in the step of lithography in the production of a semiconductor device, which lower layer film may be used as a hard mask and does not cause intermixing with a photoresist, and to provide a composition for lower film formation. [MEANS FOR SOLVING PROBLEMS] A lower layer film forming composition for use in the step of lithography in the production of a semiconductor device, which composition comprises a polysilane compound, a crosslinkable compound, a crosslinking catalyst, and a solvent. The polysilane compound is a polysilane compound having a silicon-silicon bond in its main chain.
(FR)L'invention a pour objet un film de couche de base destiné à être utilisé dans l'étape de lithogravure lors de la production d'un dispositif à semi-conducteur, lequel film de couche de base peut être utilisé comme masque dur et ne provoque pas de mélange avec un vernis photorésistant, et une composition pour la formation d'un film de base. L'invention concerne une composition formant un film de couche de base destinée à être utilisée dans l'étape de lithogravure lors de la production d'un dispositif à semi-conducteur, laquelle composition comprend un composé polysilane, un composé réticulable, un catalyseur de réticulation et un solvant. Le composé polysilane est un composé polysilane ayant une liaison silicium-silicium dans sa chaîne principale.
(JA)【課題】半導体装置製造のリソグラフィー工程において使用される下層膜であって、ハードマスクとして使用でき、フォトレジストとのインターミキシングを起こさないリソグラフィー用下層膜及び該下層膜を形成するための組成物を提供すること。 【解決手段】ポリシラン化合物、架橋性化合物、架橋触媒及び溶剤を含む、半導体装置の製造のリソグラフィー工程において使用されるリソグラフィー用下層膜形成組成物。ポリシラン化合物が、シリコンとシリコンの結合を主鎖に有するポリシラン化合物であるリソグラフィー用下層膜形成組成物。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)