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1. (WO2006126383) SOURCE D’ÉLECTRONS À ÉMISSION DE CHAMP ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/126383    N° de la demande internationale :    PCT/JP2006/309276
Date de publication : 30.11.2006 Date de dépôt international : 09.05.2006
CIB :
H01J 1/312 (2006.01), H01J 9/02 (2006.01)
Déposants : Konica Minolta Holdings, Inc. [JP/JP]; 6-1, Marunouchi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000005 (JP) (Tous Sauf US).
OKADA, Masakazu [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
HAKII, Takeshi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
MOTOKUI, Yasuyuki [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : OKADA, Masakazu; (JP).
HAKII, Takeshi; (JP).
MOTOKUI, Yasuyuki; (JP)
Données relatives à la priorité :
2005-150300 24.05.2005 JP
Titre (EN) FIELD EMISSION ELECTRON SOURCE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) SOURCE D’ÉLECTRONS À ÉMISSION DE CHAMP ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 電界放出型電子源及びその製造方法
Abrégé : front page image
(EN)Provided are a field emission electron source which has a high electron emission efficiency with improved electron emission performance and has excellent durability, and a field emission electron source manufacturing method for easily manufacturing such field emission electron source. In the field emission electron source, a drift layer wherein semiconductor layers and insulating layers are alternately laminated between a pair of electrodes is formed on a supporting substrate. The field emission electron source is characterized in that the semiconductor layer is composed of a metal oxide.
(FR)La présente invention concerne une source d’électrons à émission de champ présentant une efficacité d’émission d’électrons élevée et des capacités d’émission d'électrons améliorées et une durabilité excellente, et un procédé pour fabriquer facilement une telle source d'électrons à émission de champ. Dans la source d'électrons à émission de champ selon l’invention, une couche de dérive dans laquelle des couches de semi-conducteur et des couches isolantes sont alternativement stratifiées est placée entre une paire d'électrodes sur un substrat de support. La source d’électrons à émission de champ selon l’invention est caractérisée en ce que la couche de semi-conducteur est composée d’un oxyde métallique.
(JA) 本発明は、電子放出能力を向上させて、高い電子放出効率が得られるようにすると共に、優れた耐久性を有する電界放出型電子源と、この電界放出型電子源を簡単に製造できる電界放出型電子源の製造方法を提供する。この電界放出型電子源は、支持基板の上に、一対の電極間に半導体層と絶縁体層とが交互に積層されたドリフト層が形成されてなる電界放出型電子源において、上記の半導体層が金属酸化物からなることを特徴とする。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)