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1. (WO2006126371) SUBSTRAT DE SILICIUM POLYCRISTALLIN, LINGOT DE SILICIUM POLYCRISTALLIN, ELEMENT DE TRANSDUCTION PHOTOELECTRIQUE ET MODULE DE TRANSDUCTION PHOTOELECTRIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/126371    N° de la demande internationale :    PCT/JP2006/309043
Date de publication : 30.11.2006 Date de dépôt international : 28.04.2006
CIB :
C01B 33/02 (2006.01), B22D 25/04 (2006.01), B22D 27/04 (2006.01), H01L 31/04 (2006.01)
Déposants : KYOCERA CORPORATION [JP/JP]; 6, Takeda Tobadono-cho, Fushimi-ku, Kyoto-shi, Kyoto 6128501 (JP) (Tous Sauf US).
NIIRA, Koichiro [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : NIIRA, Koichiro; (JP)
Mandataire : INAOKA, Kosaku; c/o AI ASSOCIATION OF PATENT AND TRADEMARK ATTORNEYS, Sun Mullion NBF Tower, 21st Floor 6-12, Minamihommachi 2-chome, Chuo-ku, Osaka-shi Osaka5410054 (JP)
Données relatives à la priorité :
2005-152779 25.05.2005 JP
Titre (EN) POLYCRYSTALLINE SILICON SUBSTRATE, POLYCRYSTALLINE SILICON INGOT, PHOTOELECTRIC TRANSDUCTION ELEMENT AND PHOTOELECTRIC TRANSDUCTION MODULE
(FR) SUBSTRAT DE SILICIUM POLYCRISTALLIN, LINGOT DE SILICIUM POLYCRISTALLIN, ELEMENT DE TRANSDUCTION PHOTOELECTRIQUE ET MODULE DE TRANSDUCTION PHOTOELECTRIQUE
(JA) 多結晶シリコン基板、多結晶シリコンインゴット、光電変換素子、及び光電変換モジュール
Abrégé : front page image
(EN)A polycrystalline silicon substrate wherein within a region of about 3 mm diameter (&phgr;) including a point at which minority carrier life time (&tgr;) exhibits a minimum value on the substrate surface, subgrains (SG) manifested through given chemical solution treatment have an average diameter of 300 μm or greater. In a low-&tgr; region exhibiting a small value of minority carrier life time (&tgr;) on the surface of polycrystalline silicon substrate, the smaller the size (SG diameter) of crystal subgrains (SG), the smaller the &tgr; value. Thus, a substrate of high quality would result, thereby realizing an enhanced photoelectric transduction efficiency.
(FR)L’invention concerne un substrat de silicium polycristallin où dans une région d'environ 3 mm de diamètre (&phgr;) comprenant un point auquel le temps de vie de support minoritaire (&tgr;) présente une valeur minimum sur la surface de substrat, les sous-grains (SG) qui se manifestent à travers un traitement par une solution chimique donnée ont un diamètre moyen de 300 µm ou plus. Dans une région de faible &tgr; présentant une petite valeur de temps de vie du support minoritaire (&tgr;) sur la surface du substrat de silicium polycristallin, plus la taille (diamètre de SG) des sous-grains cristallins (SG) est petite, plus la valeur de &tgr; est petite. On obtient ainsi un substrat de haute qualité, réalisant de ce fait une meilleure efficacité de transduction photoélectrique.
(JA) 基板表面で少数キャリアライフタイムτが極小値を示す点を含む約3mmφの領域内において、所定の薬液処理をして顕在化するSGの平均直径が300μm以上である多結晶シリコン基板を実現する。多結晶シリコン基板表面で少数キャリアライフタイムτが小さな値を示す低τ領域では、亜結晶粒(Subgrain;SG)のサイズ(SG径)が小さいほどτも小さくなり、高品質基板となって、光電変換効率が高くなる。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)