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1. (WO2006126365) PROCÉDÉ SERVANT À NETTOYER DU SILICIUM POLYCRISTALLIN
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/126365    N° de la demande internationale :    PCT/JP2006/308754
Date de publication : 30.11.2006 Date de dépôt international : 26.04.2006
CIB :
C01B 33/02 (2006.01), C30B 29/06 (2006.01)
Déposants : SUMITOMO TITANIUM CORPORATION [JP/JP]; 1, Higashihama-cho Amagasaki-shi, Hyogo 6608533 (JP) (Tous Sauf US).
YAMAWAKI, Kenji [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : YAMAWAKI, Kenji; (JP)
Mandataire : YANAGIDATE, Takahiko; Taisei Patent Agent 6-15, Kawaramachi 4-chome Chuo-ku, Osaka-shi Osaka 5410048 (JP)
Données relatives à la priorité :
2005-149486 23.05.2005 JP
Titre (EN) METHOD FOR CLEANING POLYCRYSTALLINE SILICON
(FR) PROCÉDÉ SERVANT À NETTOYER DU SILICIUM POLYCRISTALLIN
(JA) 多結晶シリコン洗浄方法
Abrégé : front page image
(EN)This invention provides a method for cleaning polycrystalline silicon that can realize a high level of cleaning of a polycrystalline silicon used as a material for melting, for example, in the production of a silicon single crystal for semiconductors by a CZ pull-up method and the production of a polycrystalline silicon for solar batteries, can lower a cleaning cost, can reduce a silicon loss, the amount of a liquid chemical used, and the load on an environment by a liquid waste, and can solve the problem of NOx gas evolution. In this method, a polycrystalline silicon (1) for a melting material is cleaned with hydrofluoric acid to remove a highly contaminated oxide film (2) formed on the surface of the polycrystalline silicon (1). Thereafter, if necessary, light etching with fluoronitric acid is carried out. More preferably, a water vapor-containing clean gas is introduced into a reduction reaction furnace in a period between after the production of a polycrystalline silicon within a reduction reaction furnace and before the reduction reaction furnace is opened, thereby forming an oxide film suffering from no significant contamination on the surface of the polycrystalline silicon.
(FR)Cette invention concerne un procédé servant à nettoyer du silicium polycristallin qui peut permettre de réaliser un niveau de nettoyage élevé de silicium polycristallin utilisé comme matière destinée à être fondue, par exemple lors de la production d'un monocristal de silicium pour des semi-conducteurs par un procédé de tirage de cristal de Czochralski et lors de la production de silicium polycristallin pour des batteries solaires, qui peut réduire le coût du nettoyage, qui peut réduire la perte de silicium, la quantité de produit chimique liquide utilisé et la charge sur l'environnement par un rejet liquide et qui peut résoudre le problème de dégagement de NOx gazeux. Dans ce procédé, on nettoie avec de l'acide fluorhydrique du silicium polycristallin (1) destiné à une matière à faire fondre pour enlever un film d'oxyde fortement contaminé (2) formé sur la surface du silicium polycristallin (1). Après cela, si nécessaire, on effectue un décapage léger avec de l'acide nitrique fluoré. De façon plus particulièrement préférable, on introduit un gaz de nettoyage contenant de la vapeur d'eau dans un four de réaction de réduction au cours d'une période comprise entre après la production de silicium polycristallin à l'intérieur d'un four de réaction de réduction et avant l'ouverture du four de réaction de réduction, ce qui forme de cette manière un film d'oxyde ne souffrant d'aucune contamination importante sur la surface du silicium polycristallin.
(JA) CZ引上げ法による半導体用シリコン単結晶の製造や、太陽電池用多結晶シリコンの製造等に溶解原料として使用される多結晶シリコンを高度に洗浄する。洗浄コストを下げる。シリコンロス、薬液使用量、廃液による環境負荷を軽減する。NOxガス発生の問題を解決する。これらを実現するために、溶解原料用の多結晶シリコン1にフッ酸による洗浄処理を行い、多結晶シリコン1の表面に形成された汚染度の高い酸化膜2を除去する。その後、必要に応じてフッ硝酸による軽度のエッチング処理を行う。より好ましくは、還元反応炉内で多結晶シリコンを製造した後、還元反応炉を開放する前に、還元反応炉内に水蒸気を含む清浄なガスを導入し、多結晶シリコンの表面に汚染が少ない酸化膜を形成する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)