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1. (WO2006126329) COMPOSITION DE PHOTORÉSISTANT POSITIF, PHOTORÉSISTANT À COUCHE ÉPAISSE, PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UNE MATRICE RÉSISTANTE ÉPAISSE, ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION D’UNE BORNE DE CONNEXION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/126329    N° de la demande internationale :    PCT/JP2006/306674
Date de publication : 30.11.2006 Date de dépôt international : 30.03.2006
CIB :
G03F 7/039 (2006.01), C08F 20/28 (2006.01), H01L 21/027 (2006.01)
Déposants : TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD. [JP/JP]; 150, Nakamaruko, Nakahara-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa 2110012 (JP) (Tous Sauf US).
SENZAKI, Takahiro [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
MISUMI, Koichi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
SAITO, Koji [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : SENZAKI, Takahiro; (JP).
MISUMI, Koichi; (JP).
SAITO, Koji; (JP)
Mandataire : TANAI, Sumio; 2-3-1, Yaesu Chuo-ku, Tokyo 104-8453 (JP)
Données relatives à la priorité :
2005-151252 24.05.2005 JP
Titre (EN) POSITIVE PHOTORESIST COMPOSITION, THICK LAYERED PHOTORESIST, PROCESS FOR PRODUCING THICK RESIST PATTERN, AND PROCESS FOR PRODUCING CONNECTING TERMINAL
(FR) COMPOSITION DE PHOTORÉSISTANT POSITIF, PHOTORÉSISTANT À COUCHE ÉPAISSE, PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UNE MATRICE RÉSISTANTE ÉPAISSE, ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION D’UNE BORNE DE CONNEXION
(JA) ポジ型ホトレジスト組成物、厚膜ホトレジスト積層体、厚膜レジストパターンの製造方法および接続端子の製造方法
Abrégé : front page image
(EN)A positive photoresist composition which can form a thick resist pattern having high sensitivity. The positive photoresist composition comprises (A) a compound which generates an acid upon irradiation with actinic rays or a radiation and (B) a resin whose alkali solubility increases by the action of an acid, wherein the ingredient (B) comprises a resin (B1) having a constituent unit (b1) which is a constituent unit derived from an acrylic ester and in which the hydrogen atom of the carboxy group has been replaced with an acid-dissociable dissolution-inhibitive group represented by the following general formula (I). [Chemical formula 1] (I) [In the formula, Y represents an optionally substituted alicyclic group or alkyl; n is an integer of 0-3; and R1 and R2 each independently represents hydrogen or C1-5 alkyl.]
(FR)Composition de photorésistant positif pouvant former une matrice résistante épaisse à sensibilité élevée. La composition de photorésistant positif selon l’invention comprend (A) un composé qui génère un acide sous l’irradiation par des rayons actiniques ou une radiation et (B) une résine dont la solubilité dans les alcalins augmente sous l’action d’un acide, l’ingrédient (B) comprenant une résine (B1) comportant une unité constituante (b1) qui est une unité constituante dérivée d'un ester d'acrylique et dans laquelle l'atome d'hydrogène du groupe carboxy est remplacé par un groupe inhibiteur de dissolution pouvant être dissocié par un acide représenté par la formule générale (I) suivante : [Formule chimique 1] (1) [Dans la formule, Y représente un groupe alicyclique ou un alkyle optionnellement substitué ; n est un entier compris entre 1 et 3 ; et R1 et R2 représentent chacun indépendamment un hydrogène ou un alkyle en C1 à C5.]
(JA)not available
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)