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1. (WO2006126110) DISPOSITIF MEMOIRE ANTIFUSIBLE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/126110    N° de la demande internationale :    PCT/IB2006/051406
Date de publication : 30.11.2006 Date de dépôt international : 04.05.2006
CIB :
G11C 17/16 (2006.01), H01L 23/525 (2006.01)
Déposants : NXP B.V. [NL/NL]; High Tech Campus 60, NL-5656 AG Eindhoven (NL) (Tous Sauf US).
VAN DER SLUIS, Paul [NL/NL]; (NL) (US Seulement).
MIJIRITSKII, Andrei [NL/NL]; (NL) (US Seulement).
WOERLEE, Pierre, H. [NL/NL]; (NL) (US Seulement).
VAN ACHT, Victor, M., G. [NL/NL]; (NL) (US Seulement).
LAMBERT, Nicolaas [NL/NL]; (NL) (US Seulement)
Inventeurs : VAN DER SLUIS, Paul; (NL).
MIJIRITSKII, Andrei; (NL).
WOERLEE, Pierre, H.; (NL).
VAN ACHT, Victor, M., G.; (NL).
LAMBERT, Nicolaas; (NL)
Mandataire : PENNINGS, Johannes; NXP Semiconductors, IP Department, High Tech Campus 60, NL-5656 AG Eindhoven (NL)
Données relatives à la priorité :
05104378.4 24.05.2005 EP
Titre (EN) ANTI-FUSE MEMORY DEVICE
(FR) DISPOSITIF MEMOIRE ANTIFUSIBLE
Abrégé : front page image
(EN)A One Time Programmable (OTP) memory cell (10) comprising a first, metallic layer (12) coated with a second, conductive stable transition compound (14) with an insulating layer (16) there-between. The first and second layers (12, 14) are selected according to the difference in Gibbs Free Energy between them, which dictates the chemical energy that will be generated as a result of an exothermic chemical reaction between the two materials. The materials of the first and second layers (12, 14) are highly thermally stable in themselves but, when a voltage is applied to the cell (10), a localized breakdown of the insulative layer (16) results which creates a hotspot (18) that sets off an exothermic chemical reaction between the first and second layers (12, 14). The exothermic reaction generates sufficient heat (20) to create a short circuit across the cell and therefore reduce the resistance thereof.
(FR)L'invention concerne une cellule mémoire à programmation unique (OTP) (10) qui comprend une première couche métallique (12) revêtue par une deuxième couche de transition stable conductrice (14), une couche d'isolation (16) étant disposée entre celles-ci. La première et la deuxième couche (12, 14) sont sélectionnées en fonction de la différence d'énergie libre de Gibbs existant entre celles-ci, ce qui implique l'énergie chimique qui sera générée, cette énergie étant le résultat de la réaction chimique exothermique entre les deux matériaux. Les matériaux des première et deuxième couches (12, 14) présentent une stabilité thermique élevée, cependant lorsqu'une tension est appliquée sur la cellule (10), une panne localisée de la couche d'isolation (16) entraîne la création d'un point sensible (18) qui produit une réaction chimique exothermique entre les première et deuxième couches (12, 14). La réaction exothermique génère suffisamment de chaleur (20) pour créer un court-circuit sur la cellule et ainsi réduire la résistance de celle-ci.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)