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1. (WO2006125898) SULFURISATION ET SELENISATION DE COUCHES DE CIGS ELECTRODEPOSE PAR RECUIT THERMIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/125898    N° de la demande internationale :    PCT/FR2006/001149
Date de publication : 30.11.2006 Date de dépôt international : 19.05.2006
CIB :
H01L 31/0336 (2006.01)
Déposants : ELECTRICITE DE FRANCE [FR/FR]; 22-30, avenue de Wagram, F-75008 PARIS (FR) (Tous Sauf US).
CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE-CNRS- [FR/FR]; 3, rue Michel Ange, F-75794 Paris Cedex 16 (FR) (Tous Sauf US).
TAUNIER, Stéphane [FR/US]; (US) (US Seulement).
LINCOT, Daniel [FR/FR]; (FR) (US Seulement).
GUILLEMOLES, Jean-François [FR/FR]; (FR) (US Seulement).
NAGHAVI, Negar [FR/FR]; (FR) (US Seulement).
GUIMARD, Denis [FR/FR]; (FR) (US Seulement)
Inventeurs : TAUNIER, Stéphane; (US).
LINCOT, Daniel; (FR).
GUILLEMOLES, Jean-François; (FR).
NAGHAVI, Negar; (FR).
GUIMARD, Denis; (FR)
Mandataire : BURBAUD, Eric; Cabinet Plasseraud, 52, rue de la Victoire, F-75440 Paris Cedex 09 (FR)
Données relatives à la priorité :
0505277 25.05.2005 FR
Titre (EN) SULPHURISATION AND SELENISATION OF CIGS LAYERS ELECTROLYTICALLY DEPOSITED BY THERMAL ANNEALING
(FR) SULFURISATION ET SELENISATION DE COUCHES DE CIGS ELECTRODEPOSE PAR RECUIT THERMIQUE
Abrégé : front page image
(EN)The invention relates to a method for production of thin layers of semiconductor alloys of the I-III-VI2 type, including sulphur, for photovoltaic applications, whereby a heterostructure is firstly deposited on a substrate comprising a thin layer of precursor I-III-VI2 which is essentially amorphous and a thin layer, including at least some sulphur, the heterostructure is then annealed to promote the diffusion of the sulphur into the precursor layer and the at least partial crystallisation of the I-III-VI2 alloy of the precursor layer with a stoichiometry which hence includes sulphur. A layer of selenium may also be deposited to assist the recrystallisation processes or annealing.
(FR)L'invention concerne un procédé de fabrication en couches minces d'alliages semi-conducteurs de type I-III-VI2 incluant du soufre, pour des applications photovoltaïques, dans lequel on dépose d'abord sur un substrat une hétérostructure comprenant une couche mince de précurseur I-III-VI2 sensiblement amorphe et une couche mince incluant au moins du soufre, puis on recuit l'hétérostructure pour favoriser, à la fois la diffusion du soufre dans la couche de précurseur, et la cristallisation au moins partielle de l'alliage I-III-VI2 de la couche de précurseur avec une stoechiométrie incluant ainsi du soufre. Une couche de sélénium additionnelle peut être également déposée pour assister les phénomènes de recristallisation ou de recuit.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : français (FR)
Langue de dépôt : français (FR)