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1. (WO2006125825) PROCEDE DE FORMATION DE NANOFILS CONDUCTEURS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/125825    N° de la demande internationale :    PCT/EP2006/062642
Date de publication : 30.11.2006 Date de dépôt international : 26.05.2006
CIB :
H01L 21/225 (2006.01), H01L 29/10 (2006.01), H01L 29/12 (2006.01), H01L 21/20 (2006.01)
Déposants : THE PROVOST FELLOWS AND SCHOLARS OF THE COLLEGE OF THE HOLY AND UNDIVIDED TRINITY OF QUEEN ELIZABETH NEAR DUBLIN [IE/IE]; College Green, Dublin, 2 (IE) (Tous Sauf US).
FERNANDEZ-CEBALLOS, Sergio [ES/ES]; (ES) (US Seulement).
MANAI, Giuseppe [IT/IE]; (IE) (US Seulement).
SHVETS, Igor Vasilievich [RU/IE]; (IE) (US Seulement)
Inventeurs : FERNANDEZ-CEBALLOS, Sergio; (ES).
MANAI, Giuseppe; (IE).
SHVETS, Igor Vasilievich; (IE)
Mandataire : HALLY, Anna-Louise; Cruickshank & Co, Unit 8a Sandyford Business Centre, Sandyford, Dublin, 18 (IE)
Données relatives à la priorité :
S2005/0351 27.05.2005 IE
Titre (EN) METHOD OF FORMING CONDUCTING NANOWIRES
(FR) PROCEDE DE FORMATION DE NANOFILS CONDUCTEURS
Abrégé : front page image
(EN)The present invention is directed to a method of preparing an array of conducting or semi-conducting nanowires. The method generally comprises the steps of forming a vicinal surface of stepped atomic terraces on a substrate, depositing a fractional layer of dopant material to form nanostripes having a width less than the width of the atomic terraces, preferably covering the nanostripes and exposed terrace surfaces with an over layer to form a multilayer structure and optionally annealing the multilayer structure to cause diffusion of atoms of the dopant nanostripes into one or both of the substrate and over layer to form nanowires. This method is also applicable to other substrates with regular topographic patterns. The present invention also relates to various electronic devices made using these nanowires.
(FR)La présente invention concerne un procédé destiné à la préparation d'un réseau de nanofils conducteurs ou semi-conducteurs. Ce procédé consiste globalement à former une surface échelonnée comportant plusieurs étages atomiques sur un substrat, à déposer une couche fractionnée d'une matière dopante pour former des bande nanométriques dont la largeur est inférieure à celle des étages atomiques, puis,de préférence, à couvrir ces bandes et les surfaces exposées des étages d'une couche de revêtement, pour former une structure multicouche, et, enfin, à éventuellement soumettre la structure multicouche à un recuit pour obtenir une diffusion des atomes contenus dans les bandes vers le substrat et/ou la couche de revêtement, afin de former des nanofils. Ce procédé peut également être appliqué à d'autres substrats comportant des motifs topographiques réguliers. La présente invention concerne également divers dispositifs électroniques fabriqués à l'aide de ces nanofils.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)