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1. (WO2006125788) INJECTEUR LOCAL D'ELECTRONS POLARISES DE SPIN A POINTE EN SEMI-CONDUCTEUR SOUS EXCITATION LUMINEUSE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/125788    N° de la demande internationale :    PCT/EP2006/062550
Date de publication : 30.11.2006 Date de dépôt international : 23.05.2006
CIB :
G01Q 10/00 (2010.01), G01Q 30/00 (2010.01), G01Q 60/04 (2010.01), G01Q 60/08 (2010.01), G01Q 70/14 (2010.01), G01Q 80/00 (2010.01)
Déposants : ECOLE POLYTECHNIQUE [FR/FR]; Etablissement Public, F-91128 Palaiseau Cedex (FR) (Tous Sauf US).
PAGET, Daniel [FR/FR]; (FR) (US Seulement).
PERETTI, Jacques [FR/FR]; (FR) (US Seulement).
ROWE, Alistair [FR/FR]; (FR) (US Seulement).
LAMPEL, Georges [FR/FR]; (FR) (US Seulement).
GERARD, Bruno [FR/FR]; (FR) (US Seulement).
BANSROPUN, Shailendra [FR/FR]; (FR) (US Seulement)
Inventeurs : PAGET, Daniel; (FR).
PERETTI, Jacques; (FR).
ROWE, Alistair; (FR).
LAMPEL, Georges; (FR).
GERARD, Bruno; (FR).
BANSROPUN, Shailendra; (FR)
Mandataire : CHAVERNEFF, Vladimir; MARKS & CLERK France, Conseils en Propriété Industrielle, 31-33, Avenue Aristide Briand, F-94117 Arcueil Cedex (FR)
Données relatives à la priorité :
0505394 27.05.2005 FR
Titre (EN) LOCAL INJECTOR OF SPIN-POLARIZED ELECTRONS WITH SEMICONDUCTOR TIP UNDER LIGHT EXCITATION
(FR) INJECTEUR LOCAL D'ELECTRONS POLARISES DE SPIN A POINTE EN SEMI-CONDUCTEUR SOUS EXCITATION LUMINEUSE
Abrégé : front page image
(EN)The invention concerns an injector of spin-polarized electrons, using a semiconductor tip, wherein the injected electrons are light-generated by a circularly polarized light excitation, incident on the rear of the tip. Said tip is supported by a transparent lever or cantilever, and is surface-treated so as to remove and avoid new formation of the surface oxide layer and to improve the proportion of injected electrons.
(FR)L'invention consiste en un injecteur d'électrons polarisés en spin, utilisant une pointe semi-conductrice, dans laquelle les électrons injectés sont photo-créés par une excitation lumineuse polarisée circulairement, incidente sur l'arrière de la pointe. Cette pointe est supportée par un levier ou cantilever transparent, et subit un traitement de surface dans le but d'enlever et d'éviter la re-formation de la couche superficielle d'oxyde et d'améliorer la proportion d'électrons injectés.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : français (FR)
Langue de dépôt : français (FR)