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1. (WO2006125691) COMPOSANT MICROMECANIQUE COMPRENANT UNE MEMBRANE ET SON PROCEDE DE PRODUCTION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2006/125691 N° de la demande internationale : PCT/EP2006/061290
Date de publication : 30.11.2006 Date de dépôt international : 04.04.2006
CIB :
B81B 3/00 (2006.01)
Déposants : SCHMOLLNGRUBER, Peter[DE/DE]; DE (UsOnly)
ARTMANN, Hans[DE/DE]; DE (UsOnly)
SCHELLING, Christoph[DE/DE]; DE (UsOnly)
KRAMER, Torsten[DE/DE]; DE (UsOnly)
WAGNER, Thomas[DE/DE]; DE (UsOnly)
ROBERT BOSCH GMBH[DE/DE]; Postfach 30 02 20 70442 Stuttgart, DE (AllExceptUS)
Inventeurs : SCHMOLLNGRUBER, Peter; DE
ARTMANN, Hans; DE
SCHELLING, Christoph; DE
KRAMER, Torsten; DE
WAGNER, Thomas; DE
Représentant
commun :
ROBERT BOSCH GMBH; Postfach 30 02 20 70442 Stuttgart, DE
Données relatives à la priorité :
102005023699.523.05.2005DE
Titre (EN) MICROMECHANICAL COMPONENT COMPRISING A MEMBRANE AND METHOD FOR THE PRODUCTION OF SAID TYPE OF COMPONENT
(FR) COMPOSANT MICROMECANIQUE COMPRENANT UNE MEMBRANE ET SON PROCEDE DE PRODUCTION
(DE) MIKROMECHANISCHES BAUELEMENT MIT EINER MEMBRAN UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES SOLCHEN BAUELEMENTS
Abrégé : front page image
(EN) The invention relates to a micromechanical component having a layered structure on a semi-conductor substrate (8). The layered structure comprises at least one dielectric membrane layer (30, 34) which is arranged above a support structure (28) which is located in the semi-conductor substrate (8). The support structure (28) is made of one or several hollow columns (26) which are made of, essentially, silicon oxide. The invention also relates to a method for producing said type of micromechanical component. According to the invention, the support structure (28) is formed and/or will be formed by one or several hollow columns (26) which are made, essentially, from silicon oxide.
(FR) L'invention concerne un composant micromécanique comprenant une structure en couches sur un substrat semi-conducteur (8). La structure en couches comprend au moins une couche membrane diélectrique (30, 34) qui est placée au-dessus d'une structure support (28) située dans un substrat semi-conducteur (8). La structure support (28) est constituée d'au moins une colonne creuse (26) réalisée sensiblement en oxyde de silicium. L'invention concerne également un procédé de production de ce composant micromécanique. Il est prévu que la structure support (28) est ou sera constituée d'au moins une colonne creuse (26) réalisée sensiblement en oxyde de silicium.
(DE) Die Erfindung betrifft ein mikromechanisches Bauelement mit einem Schichtaufbau auf einem Halbleitersubstrat (8), wobei der Schichtaufbau wenigstens eine dielektrische Membran- schicht (30, 34) umfasst, die oberhalb einer im Halbleiter- substrat (8) befindlichen Stützstruktur (28) angeordnet ist. Es ist vorgesehen, dass die Stützstruktur (28) durch eine oder mehrere Hohlsäulen (26), bestehend im Wesentlichen aus Siliziumoxid, gebildet ist. Die Erfindung betrifft weiterhin ein Verfahren zur Herstellung eines derartigen mikromechanischen Bauelements. Es ist jeweils vorgesehen, dass die Stützstruktur (28) durch eine oder mehrere Hohlsäulen (26), bestehend im Wesentlichen aus Siliziumoxid, gebildet ist bzw. wird.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)