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1. (WO2006125462) SOLUTION DE NETTOYAGE POUR TRANCHE DE SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/125462    N° de la demande internationale :    PCT/EP2005/006508
Date de publication : 30.11.2006 Date de dépôt international : 25.05.2005
CIB :
C11D 11/00 (2006.01), H01L 21/306 (2006.01), C11D 1/722 (2006.01), C11D 3/39 (2006.01), C11D 3/02 (2006.01)
Déposants : FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC [US/US]; 6501 William Cannon Drive, Austin, TX 78735 (US) (Tous Sauf US).
FARKAS, Janos [US/FR]; (FR) (US Seulement)
Inventeurs : FARKAS, Janos; (FR)
Mandataire : WRAY, Antony, John; Freescale Semiconductor, Inc, Impetus IP Limited, Grove House, Lutyens Close, Chineham Court, Basingstoke, Hampshire RG24 8AG (GB)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) CLEANING SOLUTION FOR A SEMICONDUCTOR WAFER
(FR) SOLUTION DE NETTOYAGE POUR TRANCHE DE SEMI-CONDUCTEUR
Abrégé : front page image
(EN)A cleaning solution for a semiconductor wafer comprises ammonia, hydrogen peroxide, a complexing agent and a block copolymer surfactant diluted in water. The cleaning solution can be used in single wafer cleaning tools to remove both particulate contaminants and metallic residues.
(FR)La présente invention concerne une solution de nettoyage destinée à une tranche de semi-conducteur, comprenant de l'ammoniaque, du peroxyde d'hydrogène, un agent complexant et un tensioactif copolymère séquencé dilués dans de l'eau. La solution de nettoyage peut être utilisée dans des outils de nettoyage de tranche de semi-conducteur individuelle, pour éliminer à la fois les agents de contamination particulaires et les résidus métalliques.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)