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1. (WO2006125369) COMPOSITION POUR L’ELIMINATION D’UNE COUCHE DE PHOTORESIST ET PROCEDE POUR L'UTILISER
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/125369    N° de la demande internationale :    PCT/CN2006/000955
Date de publication : 30.11.2006 Date de dépôt international : 12.05.2006
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    12.03.2007    
CIB :
G03F 7/42 (2006.01)
Déposants : ANJI MICROELECTRONICS (SHANGHAI) CO., LTD. [CN/CN]; Suite 613-618, The Fifth Building N0. 3000 Longdong Avenue Zhangjiang Hi-tech Park Pudong Shanghai 201203 (CN) (Tous Sauf US).
WANG, Shumin [CN/CN]; (CN) (US Seulement).
YU, Chris, Chang [CN/CN]; (CN) (US Seulement)
Inventeurs : WANG, Shumin; (CN).
YU, Chris, Chang; (CN)
Mandataire : ZHENGHAN LAW FIRM; 18 F, North Tower of Shanghai Stock Exchange Building 528 Pu Dong (South) Road Shanghai 200120 (CN)
Données relatives à la priorité :
200510025822.6 13.05.2005 CN
Titre (EN) COMPOSITION FOR REMOVING PHOTORESIST LAYER AND METHOD FOR USING IT
(FR) COMPOSITION POUR L’ELIMINATION D’UNE COUCHE DE PHOTORESIST ET PROCEDE POUR L'UTILISER
(ZH) 一种去除光阻层的组合物及其使用方法
Abrégé : front page image
(EN)A new composition for removing a photoresist layer and a method for using it are disclosed. The composition comprises a polar solvent and an oxidizer. The composition according to the present invention uses the chemical substances which have lower toxicity and poorer flammability and reduces the amount of chemical constituent, which makes it more friendly with the environment and decreases the expense of disposing of the waste. The method for using the composition shortens the time of cleaning and more entirely removes the residue, thereby enhancing the electrical conductivity.
(FR)L’invention décrit une nouvelle composition destinée à éliminer une couche de photorésist, ainsi qu’un procédé pour l’utiliser. La composition comprend un solvant polaire et un agent oxydant. La composition selon l’invention utilise des substances chimiques de toxicité et inflammabilité moindres et elle réduit la quantité de composants chimiques, ce qui la rend plus respectueuse de l’environnement et diminue le coût d’élimination des déchets. Le procédé d’utilisation de la composition raccourcit la durée de nettoyage et élimine plus complètement les résidus, ce qui permet d’augmenter la conductivité électrique.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)