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1. (WO2006125330) CONCEPTION DE CELLULE CATHODIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/125330    N° de la demande internationale :    PCT/CH2006/000262
Date de publication : 30.11.2006 Date de dépôt international : 18.05.2006
CIB :
H01L 29/739 (2006.01)
Déposants : ABB SCHWEIZ AG [CH/CH]; Brown Boveri Strasse 6, CH-5400 Baden (CH) (Tous Sauf US).
RAHIMO, Munaf [GB/CH]; (CH) (US Seulement)
Inventeurs : RAHIMO, Munaf; (CH)
Mandataire : ABB SCHWEIZ AG; Intellectual Property (CH-LC/IP), Brown Boveri Strasse 6, CH-5400 Baden (CH)
Données relatives à la priorité :
05011178.0 24.05.2005 EP
Titre (EN) CATHODE CELL DESIGN
(FR) CONCEPTION DE CELLULE CATHODIQUE
Abrégé : front page image
(EN)An n-channel insulated gate semiconductor device with an active cell (5) comprising a p channel well region (6) surrounded by an n type third layer (8), the device further comprising additional well regions (11) formed adjacent to the channel well region (6) outside the active semiconductor cell (5) has enhanced safe operating are capability. The additional well regions (11) outside the active cell (5) do not affect the active cell design in terms of cell pitch, i.e. the design rules for cell spacing, and hole drainage between the cells, hence resulting in optimum carrier profile at the emitter side for low on-state losses.
(FR)L'invention concerne un dispositif semi-conducteur à grille isolée à canal n avec une cellule active (5) comprenant une région de puits à canal p (6) entourée d'une troisième couche de type n (8). Ce dispositif comprend également des régions de puits supplémentaires (11) formées de façon à être adjacentes à la région de puits de canal (6) à l'extérieur de la cellule à semi-conducteur active (5). Ce dispositif possède une capacité de fonctionnement sûre améliorée. Les régions de puits supplémentaires (11) à l'extérieur de la cellule active (5) n'affectent pas la conception de la cellule active en terme de pas de cellule, c'est-à-dire les règles de conception pour l'espacement de cellule et le drainage de trou entre les cellules, ce qui a pour résultat un profil de support optimal au niveau du côté émetteur pour de faibles pertes d'état d'amorçage.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)