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1. (WO2006125313) PROCEDES DE PREPARATION DE SILICIUM NANOCRISTALLIN DANS DU SIO2 ET DE NANOPARTICULES DE SILICIUM AUTONOMES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/125313    N° de la demande internationale :    PCT/CA2006/000851
Date de publication : 30.11.2006 Date de dépôt international : 26.05.2006
CIB :
H01L 21/00 (2006.01), B81C 5/00 (2006.01), H01L 29/02 (2006.01), H01L 29/04 (2006.01), H01L 33/00 (2006.01)
Déposants : THE GOVERNORS OF THE UNIVERSITY OF ALBERTA [CA/CA]; Suite 4000, Research Transition Facility (rtf), 8308-114 Street, Edmonton, Alberta T6G 2E1 (CA) (Tous Sauf US).
VEINOT, Jonathan, Gordon, Conn [CA/CA]; (CA) (US Seulement).
HESSEL, Colin, Michael [CA/CA]; (CA) (US Seulement)
Inventeurs : VEINOT, Jonathan, Gordon, Conn; (CA).
HESSEL, Colin, Michael; (CA)
Mandataire : BERESKIN & PARR; Box 401, 40 King Street West, Toronto, Ontario M5H 3Y2 (CA)
Données relatives à la priorité :
60/684,987 27.05.2005 US
Titre (EN) METHOD FOR PREPARING NANOCRYSTALLINE SILICON IN SIO2 AND FREESTANDING SILICON NANOPARTICLES
(FR) PROCEDES DE PREPARATION DE SILICIUM NANOCRISTALLIN DANS DU SIO2 ET DE NANOPARTICULES DE SILICIUM AUTONOMES
Abrégé : front page image
(EN)Methods for preparing nanocrystalline-Si/SiO2 composites by treating hydrogen silsesquioxane (HSQ) under reductive thermal curing conditions are described. Also described are methods of preparing silicon nanoparticles by acid etching the nanocrystalline-Si/SiO2 composites.
(FR)L'invention concerne des procédés permettant de préparer des composites Si/SiO2 nanocristallins par traitement au silselsquioxane d'hydrogène (HSQ), dans des conditions de polymérisation thermique réductrices. L'invention concerne également des procédés permettant de préparer des nanoparticules de silicium par attaque à l'acide des composites Si/SiO2 nanocristallins.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)