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1. (WO2006124966) DEPOT DE COUCHE D'ABSORPTION A FAIBLE TEMPERATURE ET SYSTEME DE RECUIT OPTIQUE A GRANDE VITESSE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/124966    N° de la demande internationale :    PCT/US2006/019028
Date de publication : 23.11.2006 Date de dépôt international : 16.05.2006
CIB :
C23C 16/00 (2006.01), H01L 21/306 (2006.01)
Déposants : APPLIED MATERIALS, INC. [US/US]; 3050 Bowers Avenue, Santa Clara, CA 95054 (US)
Inventeurs : RAMASWAMY, Kartik; (US).
HANAWA, Hiroji; (US).
GALLO, Biagio; (US).
COLLINS, Kenneth, S.; (US).
MA, Kai; (US).
PARIHAR, Vijay; (US).
JENNINGS, Dean; (US).
MAYUR, Abhilash; (US).
AL-BAYATI, Amir; (US).
NGUYEN, Andrew; (US)
Mandataire : WALLACE, Robert, M.; LAW OFFICE OF ROBERT M. WALLACE, 2112 Eastman Avenue, Suite 102, Ventura, CA 93003 (US)
Données relatives à la priorité :
11/131,900 17.05.2005 US
Titre (EN) LOW TEMPERATURE ABSORPTION LAYER DEPOSITION AND HIGH SPEED OPTICAL ANNEALING SYSTEM
(FR) DEPOT DE COUCHE D'ABSORPTION A FAIBLE TEMPERATURE ET SYSTEME DE RECUIT OPTIQUE A GRANDE VITESSE
Abrégé : front page image
(EN)An integrated system for processing a semiconductor wafer includes a toroidal source plasma reactor for depositing a heat absorbing layer, the reactor including a wafer support, a reactor chamber, an external reentrant toroidal conduit coupled to said chamber on generally opposing sides thereof, an RF source power applicator for coupling power to a section of said external reentrant conduit and a process gas source containing a heat absorbing material precursor gas. The integrated system further includes an optical annealing chamber.
(FR)L'invention concerne un système intégré de traitement d'une tranche à semi-conducteurs, comprenant un réacteur à plasma toroïdal de dépôt d'une couche d'absorption de la chaleur, le réacteur comprenant un support de tranche, une chambre de réaction, un conduit toroïdal rentrant externe couplé à ladite chambre sur des côtés généralement opposés de celle-ci, un applicateur d'alimentation RF couplant l'alimentation à une section dudit conduit rentrant externe, et une source de gaz de traitement contenant un gaz précurseur de matériau d'absorption de la chaleur. Le système intégré comprend également une chambre de recuit optique.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)