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1. (WO2006124701) PIXELS DE COULEUR AVEC ISOLATION ANTI-EBLOUISSEMENT ET PROCEDE DE FORMATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/124701    N° de la demande internationale :    PCT/US2006/018595
Date de publication : 23.11.2006 Date de dépôt international : 12.05.2006
CIB :
H01L 27/146 (2006.01)
Déposants : MICRON TECHNOLOGY, INC. [US/US]; 8000 S. Federal Way, Boise, ID 83707-0006 (US) (Tous Sauf US).
PATRICK, Inna [RU/US]; (US) (US Seulement).
LADD, John [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : PATRICK, Inna; (US).
LADD, John; (US)
Mandataire : D'AMICO, Thomas, J.; Dickstein Shapiro Morin & Oshinsky LLP, 2101 L Street NW, Washington, DC 20037-1526 (US)
Données relatives à la priorité :
11/129,462 16.05.2005 US
Titre (EN) COLOR PIXELS WITH ANTI-BLOOMING ISOLATION AND METHOD OF FORMATION
(FR) PIXELS DE COULEUR AVEC ISOLATION ANTI-EBLOUISSEMENT ET PROCEDE DE FORMATION
Abrégé : front page image
(EN)Implant regions of a first conductivity type (100) are formed under at least a portion of a first pixel sensor cell (188) and of a second pixel cell (188a) to limit the depth of the photodiode collection/depletion region and limit the pixel's color response. To further reduce cross-talk between adjacent pixels and to decrease blooming, an anti-blooming isolation region (200) of a second conductivity type is formed in the substrate and below the stop implant regions of the first conductivity type.
(FR)L’invention concerne un procédé permettant de former des zones d’implant d’un premier type de conductivité (100) sous au moins une partie d’une première cellule de capteur de pixel (188) et d’une seconde cellule (188a) pour limiter la profondeur de la zone de collecte/déplétion de photodiode et limiter la réponse de couleur du pixel. Pour réduire davantage l’interférence entre pixels adjacents et diminuer l’éblouissement, une zone d’isolation anti-éblouissement (200) d’un second type de conductivité est formée dans le substrat sous les zones d’implant d’arrêt du premier type de conductivité.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)