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1. (WO2006124592) AMELIORATION DE LA GAMME DYNAMIQUE A PHASE LINEAIRE DANS UN IMAGEUR CMOS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/124592    N° de la demande internationale :    PCT/US2006/018437
Date de publication : 23.11.2006 Date de dépôt international : 12.05.2006
CIB :
H01L 27/146 (2006.01), H04N 5/355 (2011.01), H04N 5/365 (2011.01), H04N 5/3745 (2011.01)
Déposants : CALIFORNIA INSTITUTE OF TECHNOLOGY [US/US]; 1200 E. California Road, M/c 201-85, Pasadena, California 91125 (US) (Tous Sauf US).
PAIN, Bedabrata [IN/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : PAIN, Bedabrata; (US)
Mandataire : STEINFL, Alessandro; Ladas & Parry LLP, 5670 Wilshire Boulevard, Ste. 2100, Los Angeles, California 90036 (US)
Données relatives à la priorité :
60/680,434 12.05.2005 US
Titre (EN) LINEAR DYNAMIC RANGE ENHANCEMENT IN A CMOS IMAGER
(FR) AMELIORATION DE LA GAMME DYNAMIQUE A PHASE LINEAIRE DANS UN IMAGEUR CMOS
Abrégé : front page image
(EN)A CMOS imager with increased linear dynamic range but without degradation in noise, responsivity, linearity, fixed-pattern noise, or photometric calibration comprises a linear calibrated dual gain pixel in which the gain is reduced after a pre-defined threshold level by switching in an additional capacitance. The pixel may include a novel on-pixel latch circuit that is used to switch in the additional capacitance.
(FR)L'invention concerne un imageur CMOS à gamme dynamique à phase linéaire accrue, mais sans dégradation en bruit, sensibilité, linéarité, bruit récurrent, ou étalonnage photométrique, comprenant un pixel double gain, étalonné linéaire, dans lequel le gain est réduit après un niveau seuil prédéfini, par commutation dans une capacitance supplémentaire. Le pixel peut comprendre un nouveau circuit à verrouillage pixel, qui est utilisé pour la commutation dans la capacitance supplémentaire.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)