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1. (WO2006124387) STRUCTURE DE TRANSISTOR A HAUTE MOBILITE D'ELECTRONS A BASE DE NITRURE DE GALLIUM
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/124387    N° de la demande internationale :    PCT/US2006/017823
Date de publication : 23.11.2006 Date de dépôt international : 09.05.2006
CIB :
H01L 29/778 (2006.01), H01L 21/335 (2006.01), H01L 29/20 (2006.01)
Déposants : RAYTHEON COMPANY [US/US]; 870 Winter Street Waltham, MA 02451-1449 (US) (Tous Sauf US).
HOKE, William, E. [US/US]; (US) (US Seulement).
MOSCA, John, J. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : HOKE, William, E.; (US).
MOSCA, John, J.; (US)
Mandataire : MOFFORD, Donald, F.; Daly, Crowley, Mofford & Durkee, LLP, Suite 301a, 354a Turnpike Street, Canton, Massachusetts 02021 (US)
Données relatives à la priorité :
11/132,533 19.05.2005 US
Titre (EN) GALLIUM NITRIDE HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR STRUCTURE
(FR) STRUCTURE DE TRANSISTOR A HAUTE MOBILITE D'ELECTRONS A BASE DE NITRURE DE GALLIUM
Abrégé : front page image
(EN)A semiconductor structure, comprising: a substrate; a first aluminum nitride (AlN) layer having an aluminum/reactive nitride (Al/N) flux ratio less than 1 disposed on the substrate; and a second AlN layer having an Al/reactive N flux ratio greater than 1 disposed on the first AlN layer. The substrate is a compound of silicon wherein the first AlN layer is substantially free of silicon.
(FR)La présente invention concerne une structure semi-conductrice comprenant un substrat, une première couche de nitrure d'aluminium (AlN) qui présente un rapport de flux d'aluminium/nitrure réactif (Al/N) inférieur à 1 et qui se trouve sur le substrat, ainsi qu'une seconde couche d'AlN qui présente un rapport de flux Al/N réactif supérieur à 1 et qui se trouve sur la première couche d'AlN. Le substrat est un composé de silicium et la première couche d'AlN est sensiblement exempte de silicium.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)