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1. (WO2006124352) PROGRAMMATION DE DISPOSITIFS À MÉMOIRE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/124352    N° de la demande internationale :    PCT/US2006/017636
Date de publication : 23.11.2006 Date de dépôt international : 08.05.2006
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    06.12.2006    
CIB :
G11C 16/10 (2006.01)
Déposants : MICRON TECHNOLOGY, INC. [US/US]; 8000 So. Federal Way, Boise, Idaho 83716 (US) (Tous Sauf US).
NGUYEN, Dzung, H. [US/US]; (US) (US Seulement).
LOUIE, Benjamin [US/US]; (US) (US Seulement).
NAZARIAN, Hagop, A. [US/US]; (US) (US Seulement).
YIP, Aaron [US/US]; (US) (US Seulement).
HAN, Jin-Man [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : NGUYEN, Dzung, H.; (US).
LOUIE, Benjamin; (US).
NAZARIAN, Hagop, A.; (US).
YIP, Aaron; (US).
HAN, Jin-Man; (US)
Mandataire : MYRUM, Tod, A.; Leffert, Jay & Polglaze, P.A., P.O. Box 581009, Minneapolis, Minnesota 55458-1009 (US)
Données relatives à la priorité :
11/126,790 11.05.2005 US
Titre (EN) DEVICES FOR PROGRAMMING A MEMORY
(FR) PROGRAMMATION DE DISPOSITIFS À MÉMOIRE
Abrégé : front page image
(EN)A target memory cell of a memory device (100) is programmed by applying a programming voltage (324, 336, 342) to a word line that includes the target memory cell, determining whether the target memory cell is programmed, and increasing the programming voltage by a step voltage (334, 340) if it is determined that the target memory cell is not programmed. An initial programming voltage (324) and the step voltage are each selectable after fabrication of the memory device.
(FR)Pour programmer une cellule de mémoire cible dans un dispositif à mémoire, on applique une tension de programmation à une ligne de mots comprenant la cellule de mémoire, on détermine si la cellule de mémoire cible est programmé et, dans le cas contraire, on augmente la tension de programmation d'un cran. Après fabrication de la cellule de mémoire, on peut choisir une tension initiale de programmation et la tension échelonnée.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)