WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2006124266) PROCEDE ET APPAREIL PERMETTANT DE DEVELOPPER DES METAUX MONOCRISTALLINS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/124266    N° de la demande internationale :    PCT/US2006/016771
Date de publication : 23.11.2006 Date de dépôt international : 03.05.2006
CIB :
C22C 45/00 (2006.01), C30B 13/20 (2006.01), C30B 28/02 (2006.01), C21D 8/12 (2006.01)
Déposants : THE BOARD OF REGENTS, THE UNIVERSITY OF TEXAS SYSTEM [US/US]; 207 West 7th Street, Austin, Texas 78701 (US) (Tous Sauf US).
CIULIK, James, R. [US/US]; (US) (US Seulement).
TALEFF, Eric, M. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : CIULIK, James, R.; (US).
TALEFF, Eric, M.; (US)
Mandataire : NG, Antony, P.; DILLON & YUDELL LLP, 8911 N. CAPITAL OF TEXAS HWY., Suite 2110, Austin, TX 78759 (US)
Données relatives à la priorité :
60/680,273 12.05.2005 US
Titre (EN) METHOD AND APPARATUS FOR GROWING SINGLE-CRYSTAL METALS
(FR) PROCEDE ET APPAREIL PERMETTANT DE DEVELOPPER DES METAUX MONOCRISTALLINS
Abrégé : front page image
(EN)A method for growing large single crystals of metals is disclosed. A polycrystalline form of a metal specimen is initially heated in a non-oxidizing environment. A minimum plastic strain is then applied to the heated metal specimen to initiate the growth of a selected grain within the heated metal specimen. Additional plastic strain is subsequently applied to the heated metal specimen to propagate the growth of the selected grain to become a large single crystal.
(FR)L'invention concerne un procédé permettant de développer des monocristaux importants de métaux. Une forme polycristalline d'un spécimen métallique est chauffée dans un premier temps dans un environnement non oxydant. Une déformation de plastique minimale est ensuite appliquée sur le spécimen métallique chauffé, afin de commencer le développement d'un grain sélectionné dans le spécimen métallique chauffé. Une autre déformation plastique est ensuite appliquée sur le spécimen métallique chauffé, de manière à propager le grain sélectionné, afin qu'il devienne un monocristal important.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)