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1. (WO2006123881) PHOTODIODE A SILICIUM-GERMANIUM DE CAPTEUR D’IMAGE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/123881    N° de la demande internationale :    PCT/KR2006/001817
Date de publication : 23.11.2006 Date de dépôt international : 16.05.2006
CIB :
H01L 27/146 (2006.01)
Déposants : SILICONFILE TECHNOLOGIES INC. [KR/KR]; 9F Yewon Bldg, 75-1, Yangjae-dong, Seocho-gu, Seoul 137-130 (KR) (Tous Sauf US).
LEE, Byoung Su [KR/KR]; (KR) (US Seulement)
Inventeurs : LEE, Byoung Su; (KR)
Mandataire : LEE, Cheol Hee; 2F, Woo Kyeong Bldg., 156-13, Samseong-dong, Kangnam-ku, Seoul 135-090 (KR)
Données relatives à la priorité :
10-2005-0042299 20.05.2005 KR
Titre (EN) SILICON-GERMANIUM PHOTODIODE FOR IMAGE SENSOR
(FR) PHOTODIODE A SILICIUM-GERMANIUM DE CAPTEUR D’IMAGE
Abrégé : front page image
(EN)A photodiode for an image sensor having an improved light sensitivity and decrease in size over a silicon-based photodiode and a manufacturing method of the photodiode are provided. The photodiode for the image sensor has a silicon-germanium alloy layer, which contains germanium of 0.1 to 15 wt% with respect to a weight of silicon-germanium alloy, formed on a silicon substrate and a photodioderegion formed on the silicon-germanium alloy layer. Since the light absorbance of germanium is high, the photodiode in which a relatively thin silicon- germanium alloy layer is formed has a superior property of optical sensing to a conventional silicon-based image sensor. Accordingly, the silicon-germanium alloy layer thinner than a silicon layer used in a conventional image sensor can be used for absorbing sufficient light so as to decrease in size of the image sensor using the photodiode. In addition, it is possible to operate the photodiode at a high speed due to rapid transport of charges in the silicon-germanium alloy layer.
(FR)L’invention concerne une photodiode d’un capteur d’image présentant une meilleure photosensibilité et une réduction de taille par rapport à une photodiode à silicium, et son procédé de fabrication. La photodiode du capteur d’image comprend une couche en alliage silicium-germanium, qui contient un pourcentage pondéral de germanium de 0,1 à 15 % du poids total de l’alliage, formée sur un substrat de silicium et une zone de photodiode formée sur la couche en alliage. Comme la capacité d’absorption optique du germanium est élevée, la photodiode intégrant une couche en alliage silicium-germanium relativement fine présente une excellente propriété de photosensibilité par rapport à un capteur d’image à silicium classique. Ainsi, la couche en alliage silicium-germanium plus fine qu’une couche de silicium utilisée dans un capteur d’image classique offre une bonne absorption optique tout en permettant de réduire la taille du capteur d’image employant la photodiode. En outre, la photodiode peut fonctionner à une vitesse élevée en raison du transport rapide des charges dans la couche en alliage silicium-germanium.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)