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1. (WO2006123870) APPAREIL ET PROCEDE DE DEPOT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR PAR DOUCHE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/123870    N° de la demande internationale :    PCT/KR2006/001760
Date de publication : 23.11.2006 Date de dépôt international : 11.05.2006
CIB :
H01L 21/205 (2006.01)
Déposants : PIEZONICS CO., LTD. [KR/KR]; 35-3 Hongchon-ri, Ibjang-myon, Cheonan-si, Chungnam 330-825 (KR) (Tous Sauf US).
BYUN, Chul Soo [KR/KR]; (KR) (US Seulement)
Inventeurs : BYUN, Chul Soo; (KR)
Mandataire : LEE, Jongwoo; 2F1., Dukwon Bldg., 637-19 Yeoksam-dong, Kangnam-ku, Seoul 135-909 (KR)
Données relatives à la priorité :
10-2005-0041910 19.05.2005 KR
10-2006-0027444 27.03.2006 KR
Titre (EN) APPARATUS FOR CHEMICAL VAPOR DEPOSITION WITH SHOWER HEAD AND METHOD THEROF
(FR) APPAREIL ET PROCEDE DE DEPOT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR PAR DOUCHE
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed therein is a method of chemical vapor deposition (CVD) with a showerhead through which a source material gas comprising a reactive gas of at least one kind and a purge gas is injected over a substrate to deposit a film on the substrate, including the steps of: disposing the showerhead in such a way that the bottom surface of the showerhead is spaced apart from the substrate by a predetermined distance; supplying a source material gas into the showerhead, wherein reactive gases of different kinds are respectively injected into compartments formed inside the showerhead in such a way that each compartment of the showerhead is filled with the reactive gas of only one kind and a purge gas of the source material gas is supplied into another compartment formed inside the showerhead; and discharging the reactive gas and the purge gas respectively through a large number of reactive gas outlets and a large number of purge gas outlets formed on the bottom surface of the showerhead, the purge gas outlets being more in number than the reactive gas outlets. Moreover, disclosed is an apparatus for chemical vapor deposition (CVD) with a showerhead through which a source material gas are injected over a substrate to deposit a film on the substrate, wherein the showerhead includes: a plurality of reactive gas showerhead modules having the same number as the kind of reactive gases of the source material gas, each reactive gas showerhead module having an inner spaces separated from each other and a plurality of reactive gas flow channels formed on the bottom surface thereof for supplying the reactive gas over the substrate; and a purge gas showerhead module mounted under the reactive gas showerhead modules, having a purge gas supply port for introducing a purge gas of the source material gas thereto, an inner space separated from inner spaces of the reactive gas showerhead modules for being filled with the purge gas only, a large number of inlets formed on the upper surface thereof for allowing a penetration of the said reactive gas flow channels through the inner space thereof with hermetic sealing at the joints of the said inlets, a large number of exits for said reactive gas flow channels and a large number of exits for said purge gas formed on the bottom surface thereof, and said exit for purge gas having a diameter smaller than that of said exit for the reactive gas flow channel, and wherein each reactive gas flow channel of each reactive gas showerhead module placed at upper positions passes through the inside of the other reactive gas showerhead modules placed at lower positions and through the inside of the purge gas showerhead module.
(FR)La présente invention concerne procédé de dépôt chimique en phase vapeur par douche. On utilise un matériau gazeux réunissant gaz de réaction et gaz de purge, qu'on injecte sur le substrat de façon à y déposer un film. A cet effet, on présente la douche de façon que sa face inférieure tienne à une distance spécifique du substrat. On alimente le gaz de source dans la douche où les gaz de réaction de différentes espèces sont injectés indépendamment dans des compartiments de la douche de façon à combler chaque compartiment d'une seule espèce, le gaz de purge étant alimenté dans un autre compartiment à l'intérieur de la douche. On décharge les gaz de réaction et le gaz de purge, respectivement, via un grand nombre d'orifices de la face inférieure de la douche, les orifices du gaz de purge étant plus nombreux que ceux du gaz de réaction. L'invention concerne également un appareil de dépôt chimique en phase vapeur avec une douche pour injecter un gaz source sur un substrat et y déposer un film. Cette douche comprend autant de modules que de gaz de réaction, séparés les uns des autres, et percés au fond de canaux d'écoulement délivrant le gaz sur le substrat. Un orifice permet d'alimenter le gaz de purge de la source, le module correspondant étant séparé des autres et n'étant chargé que de gaz de purge. Un grand nombre d'orifices d'entrée garnit la face supérieure pour permettre la pénétration des canaux d'écoulement via l'espace intérieur correspondant, avec des fermetures hermétiques aux jonctions des orifices d'entrée. La face inférieure comporte également un grand nombre d'orifices de sortie pour les canaux d'écoulement des gaz de réaction, ainsi que pour le gaz de purge. Le diamètre des orifices de sortie du gaz de purge est diamètre supérieur à ceux des gaz de réaction. Enfin, chaque canal d'écoulement de gaz de réaction de chaque module disposé à des positions supérieures traverse l'intérieur des autres modules situés en des positions inférieures et l'intérieur du module de gaz de purge.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : coréen (KO)