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1. (WO2006123815) PROCEDE DE FORMATION D'UN PROFIL INCURVE SUR UN SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/123815    N° de la demande internationale :    PCT/JP2006/310098
Date de publication : 23.11.2006 Date de dépôt international : 16.05.2006
CIB :
H01L 21/00 (2006.01), G02B 3/02 (2006.01), G02B 3/00 (2006.01)
Déposants : MATSUSHITA ELECTRIC WORKS, LTD. [JP/JP]; 1048, Oaza-Kadoma, Kadoma-shi, Osaka, 5718686 (JP) (Tous Sauf US).
HONDA, Yoshiaki [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
NISHIKAWA, Takayuki [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : HONDA, Yoshiaki; (JP).
NISHIKAWA, Takayuki; (JP)
Mandataire : NISHIKAWA, Yoshikiyo; Hokuto Patent Attorneys Office Umeda-Daiichiseimei Bldg. 5th Floor, 12-17, Umeda 1-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300001 (JP)
Données relatives à la priorité :
2005-145952 18.05.2005 JP
2005-371072 22.12.2005 JP
2005-371071 22.12.2005 JP
2006-018194 26.01.2006 JP
Titre (EN) PROCESS OF FORMING A CURVED PROFILE ON A SEMICONDUCTOR SUBSTRATE
(FR) PROCEDE DE FORMATION D'UN PROFIL INCURVE SUR UN SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR
Abrégé : front page image
(EN)A semiconductor substrate is shaped to have a curved surface profile by anodization. Prior to being anodized, the substrate is finished with an anode pattern on its bottom surface so as to be consolidated into a unitary structure in which the anode pattern is precisely reproduced on the substrate. The anodization utilizes an electrolytic solution which etches out oxidized portion as soon as it is formed as a result of the anodization, to thereby develop a porous layer in a pattern in match with the anode pattern. The anode pattern brings about an in-plane distribution of varying electric field intensity by which the porous layer develops into a shape complementary to a desired surface profile. Upon completion of the anodization, the curves surface is revealed on the surface of the substrate by etching out the porous layer and the anode pattern from the substrate.
(FR)La présente invention décrit comment profiler par anodisation un substrat semi-conducteur afin de lui conférer un profil de surface incurvé. Avant d’être anodisé, le substrat reçoit une finition consistant en un motif anodique sur sa surface inférieure, afin d’être consolidé en une structure unitaire dans laquelle le motif anodique est reproduit avec précision sur le substrat. L’anodisation utilise une solution électrolytique qui élimine par gravure la partie oxydée dès sa formation suite à l’anodisation, pour ainsi développer une couche poreuse selon un motif correspondant au motif anodique. Le motif anodique provoque une répartition dans le plan d’une intensité de champ variable, grâce à quoi la couche poreuse se développe suivant une forme complémentaire par rapport à un profil de surface souhaité. Lorsque l’anodisation est terminée, la surface incurvée est révélée sur la surface du substrat en éliminant par gravure la couche poreuse et le motif anodique du substrat.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)