WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2006123802) PROCEDE DE PRODUCTION DE SILICIUM
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/123802    N° de la demande internationale :    PCT/JP2006/310081
Date de publication : 23.11.2006 Date de dépôt international : 15.05.2006
CIB :
C01B 33/03 (2006.01), H01L 31/04 (2006.01)
Déposants : TOKUYAMA CORPORATION [JP/JP]; 1-1, Mikage-cho, Shunan-shi, Yamaguchi 7450053 (JP) (Tous Sauf US).
WAKAMATSU, Satoru [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
ODA, Hiroyuki [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : WAKAMATSU, Satoru; (JP).
ODA, Hiroyuki; (JP)
Mandataire : OHSHIMA, Masataka; Ohshima Patent Office, BN Gyoen Building, 17-11, Shinjuku 1-chome, Shinjuku-ku, Tokyo 1600022 (JP)
Données relatives à la priorité :
2005-145090 18.05.2005 JP
Titre (EN) METHOD FOR PRODUCING SILICON
(FR) PROCEDE DE PRODUCTION DE SILICIUM
(JA) シリコンの製造方法
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed is a method for producing a silicon wherein a semiconductor-grade silicon is produced while producing a solar cell-grade silicon by converting a part of trichlorosilane to a silicon for solar cells. Specifically disclosed is a commercially advantageous method for removing a contaminating substance from a chlorosilane circulating system, wherein trichlorosilane is produced, during when a silicon is produced from trichlorosilane by vapor deposition.
(FR)L’invention concerne un procédé de production de silicium dans lequel un silicium de qualité semi-conducteur est produit tout en produisant un silicium de qualité photovoltaïque par conversion d’une partie du trichlorosilane en un silicium pour cellules solaires. L’invention concerne plus spécifiquement un procédé commercialement avantageux pour retirer une substance contaminante d’un système de circulation du chlorosilane, dans lequel du trichlorosilane est produit, durant lequel un silicium est produit à partir du trichlorosilane par dépôt en phase vapeur.
(JA)トリクロロシランの1部を太陽電池用シリコンに変換して太陽電池級シリコンを製造しつつ半導体級シリコンを製造する、シリコンの製造法。トリクロロシランからシリコンを蒸着法により製造する際に、トリクロロシランを製造するクロロシラン循環系から汚染物質を除去する工業的に有利な方法を提供する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)